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collector modulationとは 意味・読み方・使い方
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「collector modulation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
The gradation collector modulates the input image with the level-compressed modulation signals to obtain a corrected gradation image.例文帳に追加
階調修正部は、レベル圧縮後の変調信号により入力画像を変調して、階調修正画像を得る。 - 特許庁
Since each amplifier performs amplitude modulation by collector modulation, a class C amplifier can be used and power efficiency can be enhanced to 10-30% from conventional efficiency of 1-10%.例文帳に追加
個々のアンプをコレクタ変調によって振幅変調するので、Ｃ級増幅器を使用でき、従来の電力効率１〜１０％が本発明においては１０〜３０％と向上する。 - 特許庁
To provide a transistor element in which low voltage large current modulation can be carried out between the emitter electrode and the collector electrode, and to provide its fabrication process, a light emitting element, and a display having that transistor element.例文帳に追加
エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。 - 特許庁
A semiconductor laser is connected to the collector of the transistor Q103, a resistor is connected to the collector of the transistor Q104, and a semiconductor laser is driven by alternately setting modulation inputs Pin1 and Nin1 to high level.例文帳に追加
トランジスタＱ１０３のコレクタに半導体レーザを接続し、トランジスタＱ１０４のコレクタに抵抗を接続し、変調入力Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１を交互にハイレベルとして半導体レーザを駆動する。 - 特許庁
To provide a transistor element in which low-voltage large-current modulation can be carried out between the emitter electrode and the collector electrode, to provide a method of manufacturing the transistor element, and to provide a light-emitting element and a display having the transistor element.例文帳に追加
エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。 - 特許庁
To provide a transistor element with a superior on/off ratio that can perform large-current modulation with a small off current and a low voltage between an emitter electrode and a collector electrode.例文帳に追加
エミッタ電極−コレクタ電極間において、オフ電流が小さく、かつ、低電圧で大電流変調が可能であるオン／オフ比に優れたトランジスタ素子を提供すること。 - 特許庁
This insulated gate bipolar transistor 1 is provided with a collector area having a conductivity modulation function, an emitter area, and a gate electrode that is formed on a channel area between the collector area and emitter area, and it is also provided with an insulated gate control electrode G2 formed between the gate electrode and collector area.例文帳に追加
伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ１において、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた絶縁ゲート型制御電極Ｇ２を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 特許庁
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「collector modulation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
An insulated gate bipolar transistor is composed of a collector region, having a conductivity modulation action, an emitter region, and a gate electrode formed on a channel region residing between the collector region and the emitter region, and this insulated gate bipolar transistor is equipped with a control electrode provided between the gate electrode and the collector region.例文帳に追加
伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた制御電極を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 特許庁
A transistor 62 responds to a parabolic signal Vin having a vertical frequency and a negative feedback signal Ves, and generates a parabolic modulation voltage having the vertical frequency by the collector of the transistor.例文帳に追加
トランジスタ６２は、垂直周波数を有するパラボラ信号Ｖｉｎと負帰還信号Ｖｅｓに応答して、トランジスタのコレクタで垂直周波数を有するパラボリック変調電圧を発生する。 - 特許庁
To enhance the conductivity modulation effect of an insulated gate bipolar transistor by preventing holes injected from a P+ type collector layer into an N- type base layer from flowing out to a P type base layer.例文帳に追加
絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、Ｐ＋型コレクタ層からＮ−型ベース層に注入される正孔が、Ｐ型ベース層に流出するのを防止して伝導度変調効果を高めることが課題となる。 - 特許庁
A first electrode 7 to be an emitter electrode and the metal plugs 10 and 23 to be a collector electrode are provided on the same side as the control electrode 8 with the collector electrode positioned remoter from the control electrode 8, so that most of the carriers injected into the sixth semiconductor region 12 for conductivity modulation are able to reach the emitter electrode without passing through a location just under the third semiconductor 6.例文帳に追加
エミッタ電極となる第１の電極７と金属プラグ１０，２３よりなるコレクタ電極を制御電極８に対して同じ側で、かつコレクタ電極の方が制御電極８から遠くなるように設けることによって、第６の半導体領域１２から注入された伝導度変調に必要なキャリアの大部分を第３の半導体領域６の直下を通らずにエミッタ電極に到達させる。 - 特許庁
An ASK modulator 12A used in this case adopts a similar circuit configuration to a self-bias common source or common emitter amplifier, a carrier from a local oscillator 44A is fed to a gate or a base of a transistor(TR) and a modulation signal whose frequency band is limited by a low pass filter 10 is respectively applied to a drain or a collector of the TR.例文帳に追加
その際用いるＡＳＫ変調器１２Ａは、自己バイアスソース接地又はエミッタ接地増幅器と同様の回路構成とし、トランジスタのゲート又はベースには局部発振器４４Ａからの搬送波を、ドレイン又はコレクタには低域通過フィルタ１０により帯域制限された変調信号を、それぞれ印加する。 - 特許庁
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