channel inversionとは 意味・読み方・使い方

Thus, the zero interrelation energy properly attains channel estimation without causing matrix inversion to simplify channel communication.例文帳に追加

したがって、ゼロ相互関連が、マトリクス反転のないチャネル推定を適切に可能にするため、チャネル通信は簡略化される。 - 特許庁

Therefore, an inversion type lateral MOSFET with high channel mobility can be obtained.例文帳に追加

このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。 - 特許庁

Based on the maximum value of the sign inversion interval, a first channel frequency estimator 19 estimates the channel frequency and outputs estimated channel frequency f_det_T.例文帳に追加

第１のチャネル周波数推定器１９は、符号反転間隔の最大値に基づいて、チャネル周波数を推定し、推定チャネル周波数ｆ_det_Tを出力する。 - 特許庁

To prevent the inversion of a conductive type of an n type channel formation region due to B(boron) diffusion.例文帳に追加

Ｂ（ボロン）の拡散によってｎ型のチャネル形成領域の導電型が反転してしまうことを防止する。 - 特許庁

The inversion voltage of the first nMOSFET is decided by impurity concentration of the channel area 4 and the pocket area 9.例文帳に追加

第１ｎＭＯＳＦＥＴの反転電圧は、チャネル領域４及びポケット領域９の不純物濃度によって定まる。 - 特許庁

When a bias of appropriate polarity and a sufficient size is given to the gate electrode, an inversion layer is formed in the channel.例文帳に追加

適切な極性と十分な大きさのバイアスをゲート電極に与えるとチャネル内に反転層が形成される。 - 特許庁

The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor.例文帳に追加

半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain.例文帳に追加

バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。 - 特許庁