drain saturation currentとは 意味・読み方・使い方

Then the current compensating circuit 101 operates by combining a saturation area wherein a drain current value of a transistor is small with a linear area.例文帳に追加

そして、その電流補償回路１０１は、トランジスタのドレイン電流値の小さい飽和領域と、線形領域とを組み合わせて動作するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the normal saturation drain current of a MOS transistor can be made larger, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの定常飽和ドレイン電流を大きくできるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a CMOS semiconductor device that maximizes saturation drain current, while restraining roll-off in threshold voltage.例文帳に追加

閾値電圧のロールオフを抑制しつつ飽和ドレイン電流の最大化を図るＣＭＯＳ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the display quality of an electro-optical device, in which an electrooptical device, such as an organic EL device, is driven with a current, using the saturation characteristics of drain current.例文帳に追加

ドレイン電流の飽和特性を利用して有機ＥＬ素子等の電気光学素子を電流駆動する電気光学装置において、表示品質を改善する。 - 特許庁

The intensity of drain current noise of a specified low frequency that each transistor generates in it saturation area is measured while a drain voltage has a specified value and a gate voltage is varied (S2).例文帳に追加

その各トランジスタが飽和領域で発生する所定の低周波におけるドレイン電流雑音強度を、ドレイン電圧が所定値の下でゲート電圧を変化させて測定する（Ｓ２）。 - 特許庁

Moreover, a desired drain current is obtained by enhancing VGS of the driving TFT while improving the current characteristic in the saturation region of the TFT by making the channel length sharply larger than the channel width.例文帳に追加

さらに、チャネル長はチャネル幅よりも大幅に大きくして飽和領域における電流特性を改善し、駆動用ＴＦＴのＶ_GSを高くすることによって所望のドレイン電流を得る。 - 特許庁

By operating an EL driving TFT in an ON condition and in a saturation region, the drain current of the TFT is held at a constant value.例文帳に追加

且つＥＬ駆動用ＴＦＴを、オン状態において飽和領域で動作させることにより、ＥＬ駆動用ＴＦＴのドレイン電流を一定に保つことができる。 - 特許庁

Then a deterioration rate ΔIdlin/Idlin of the linear drain current is obtained from the Idlin1 and Idlin2, and a deterioration rate ΔIdsat/Idsat of the saturation drain current is obtained from the Isat1 and Isat2 to calculate the threshold voltage shift ΔVt from ΔVt=-(ΔIdsat/Idsat-ΔIdlin/Idlin)×(Vg-Vt ).例文帳に追加

次に、Ｉdlin１及びＩdlin２から線形ドレイン電流の劣化率ΔＩdlin／Ｉdlinを求め、Ｉdsat１及びＩdsat２から飽和ドレイン電流の劣化率ΔＩdsat／Ｉdsatを求め、ΔＶｔ＝−（ΔIdsat／Idsat−ΔIdlin／Idlin）×（Ｖｇ−Ｖｔ）に従ってしきい値電圧シフトΔＶｔを算出する。 - 特許庁