deposition parameterとは 意味・読み方・使い方

A first dependence relationship of a deposition rate of the layer on an operating parameter, selected from cathode voltage, cathode current, and cathode power, is provided prior to deposition of the layer.例文帳に追加

層の堆積に先だって、陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される動作パラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。 - 特許庁

In one embodiment, the current is measured using a sensing array 57 disposed in the bath 19, 59, and the plating deposition parameter is controlled using the measured value.例文帳に追加

一実施例では、槽（１９，５９）内に配置した検出アレイ（５７）を用いて電流を測定し、この測定値を用いてめっき堆積パラメータを制御する。 - 特許庁

A second dependence relationship of the operating parameter on time is measured during deposition of the layer, while a different operating parameter, also selected from cathode voltage, cathode current, and cathode power, is held substantially constant.例文帳に追加

層を堆積させている間、同じく陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される異なる動作パラメータが実質的に一定に保持された状態で、時間に対する動作パラメータの第２の依存関係が測定される。 - 特許庁

The manufacture control apparatus 20 calculates a control parameter (deposition time t_target) for controlling a film forming apparatus 30 which deposits an insulating film on a first semiconductor wafer, and calculates the control parameter (deposition time t_target) for making the film forming apparatus 30 deposit the insulating film thicker as second wafer surface area L_1 of a second semiconductor wafer is larger.例文帳に追加

第１半導体ウェハ上に絶縁膜を堆積する成膜装置３０を制御する制御パラメータ（堆積時間ｔ_target）を算出する製造制御装置２０であって、第２半導体ウェハの第２ウェハ表面積Ｌ_1が大きいほど、成膜装置３０に絶縁膜を厚く堆積させる制御パラメータ（堆積時間ｔ_target）を算出する。 - 特許庁

In the supply stop period of the frame precursor, the value of at least one deposition parameter which is negatively correlated with the density of a product of the CVD process decreases.例文帳に追加

枠体前駆体の供給の終了期間において、ＣＶＤプロセスの生成物の密度と否定的に相関している少なくとも一つの堆積パラメータの値は、減少する。 - 特許庁

The method for simulating the shape of the formed film, which calculates the thickness of the thin film formed by supplying deposition seeds onto the surface of a substrate, includes changing a parameter used for calculation according to the thickness of the deposited thin film.例文帳に追加

基体の表面に堆積種を供給することにより形成される薄膜の厚みを計算する成膜形状シミュレーション方法であって、計算に用いるパラメータを、堆積された薄膜の厚みに応じて変更することを特徴とする成膜形状シミュレーション方法が提供される。 - 特許庁