depth of profileとは 意味・読み方・使い方

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.例文帳に追加

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁

To provide a device hiding a radar, having a profile of a volume, or a depth, and reducing the loss of microwaves.例文帳に追加

容積すなわち奥行きという側面を有しマイクロ波の損失が少ない、レーダーを隠す装置を作ることである。 - 特許庁

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield.例文帳に追加

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 - 特許庁

To perform a measurement having a high depth precision and a high quantitative determination precision by excluding the depth dependency of profile shift and detection sensitivity regarding a method of analyzing the distribution in the depth direction of a group V element in a group IV semiconductor.例文帳に追加

ＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布の分析方法に関し、プロファイルシフト及び検出感度の深さ依存性を排除して、深さ精度および定量精度の高い測定を行う。 - 特許庁

To detect, more simply and accurately than conventionally, the size and depth of a surface flaw on a welded part from a cross-section profile of the welded part.例文帳に追加

溶接部の断面プロフィールから、溶接部上の表面欠陥の大きさや深さを従来よりも簡便に精度よく検出する。 - 特許庁

An impurity concentration profile is measured in the depth direction from the surface of a plurality of first parts, and change of the impurity concentration profile dependent on the area of the first part is determined.例文帳に追加

そして、前記半導体層のうちの複数の前記第１の部分の表面から深さ方向の不純物濃度プロファイルを測定し、前記第１の部分の面積に依存する前記不純物濃度プロファイルの変化を求める。 - 特許庁

The peak of a concentration profile on impurities comprising the diffusion layers 13, 13b and 13c exists in the depth of ≥0.04 μm from the surface of the substrate 12.例文帳に追加

拡散層１３，１３ｂ，１３ｃを構成する不純物の濃度プロファイルのピークは、基板１２の表面から０．０４μｍ以上の深さにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate, having semiconductor layers of uniform concentration profile in the depth direction of the substrate using a new constitution, and to provide a manufacturing method of the substrate.例文帳に追加

新規な構成による深さ方向に均一な濃度プロファイルの半導体層を有する半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁