depletion potentialとは 意味・読み方・使い方

A control circuit adds a value obtained by adding a particular potential stored in a particular potential storage to a threshold stored in an adjacent memory cell threshold storage to a gate potential of the source line side depletion-type FET, in the read operation.例文帳に追加

制御回路は、読み出し時に、隣接メモリセル閾値記憶部に記憶された閾値に特定電位記憶部に記憶された特定電位を足した値を、ソース線側デプレッションタイプＦＥＴのゲート電位に加える。 - 特許庁

Prof “This effect appears in reduced ODP, or Ozone Depletion Potential and GWP, or Global Warming Potential. "例文帳に追加

先生「そうした効果は、フロンの持つオゾン層破壊係数・ＯＤＰ、地球温暖化係数・ＧＷＰをより小さなものへ転換してきたことが大きな効果を上げています。" - 経済産業省

Therefore, even when a voltage is applied to the PN junction part, the depletion layer 10 does not reach the interfacial potential generation part.例文帳に追加

したがって、ＰＮ接合部に電圧が印加された場合にも、空乏層１０は界面準位発生部に到達しない。 - 特許庁

In addition, during a period in which the reset transistor 23 for resetting the FD part 26 is turned on, a drain voltage VRD of the reset transistor 23 is transited from a voltage Vrstl lower than a depletion potential to a voltage Vrsth higher than the depletion potential.例文帳に追加

そして、ＦＤ部２６をリセットするリセットトランジスタ２３がオンしている期間に、リセットトランジスタ２３のドレイン電圧ＶＲＤを、空乏化ポテンシャルよりも低い電圧Ｖｒｓｔｌから空乏化ポテンシャルよりも高い電圧Ｖｒｓｔｈに遷移させるようにする。 - 特許庁

Further, a channel region 12 is filled with a depletion layer via the fixed electric potential insulating electrode 11 to form an on-operation state and an off-operation state.例文帳に追加

そして、固定電位絶縁電極１１を介してチャネル領域１２を空乏層で満たし、ＯＮ動作、ＯＦＦ動作状態を成す。 - 特許庁

The second potential setting section 9 includes a plurality of second depletion-type MOS transistors DN_1 to DN_n having a second conductive type, which are connected in series between a second reference potential node GND and the intermediate potential node N1.例文帳に追加

第２の電位設定部９は、第２の基準電位ノードＧＮＤと中間電位ノードＮ１との間に直列接続された第２の導電型を有するディプレッション型の複数の第２のＭＯＳトランジスタＤＮ１＿〜ＤＮ＿ｎを含む。 - 特許庁

A source follower circuit included in a solid-state imaging element in the contact type linear sensor has a depletion MOS transistor connected to a power supply potential and an enhancement MOS transistor connected to a ground potential, wherein a signal voltage passed through an amplifier circuit is applied to the gate electrode of the depletion MOS transistor and a selection signal is applied as a gate voltage of the depletion MOS transistor.例文帳に追加

密着型リニアセンサ内の固体撮像素子が有するソースフォロア回路について、電源電位に接続されたディプレッションＭＯＳトランジスタと、グランド電位に接続されたエンハンスメントＭＯＳトランジスタとを有し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電極に増幅回路を経た信号電圧を印加し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電圧に選択信号を印加する。 - 特許庁

To provide a refrigerating device, capable of suppressing frost formation or improving defrosting efficiency, in a refrigerating cycle of 0 ozone depletion potential.例文帳に追加

オゾン層破壊係数が０である冷凍サイクルにおいて、着霜の抑制もしくは除霜効率の向上を図ることが可能な冷凍装置を提供する。 - 特許庁