depletion processとは 意味・読み方・使い方

The N-channel depletion type transistor has process fluctuations that are linked with those of a detection transistor, and hence a short-circuit current may be set accurately without trimming.例文帳に追加

Ｎｃｈデプレッション型トランジスタは検出用トランジスタとプロセスばらつきが連動するためトリミングを行うことなく短絡電流を正確に設定することが出来る。 - 特許庁

By repeating the process, a plurality of depletion parts 12a are generated in an epitaxial layer 12 to provide a hetero N- buffer structure.例文帳に追加

そして、この工程を繰り返すことにより、エピタキシャル層１２中に複数の空洞部１２ａを作り込んで、ヘテロなＮバッファ構造を実現する構成となっている。 - 特許庁

To provide a delivery device that can deliver a uniform and high concentration of precursor vapor throughout the process up to depletion of the solid precursor compound from the delivery device.例文帳に追加

送達装置から固体前駆体化合物が枯渇するまでのプロセス全体にわたって均一で高濃度の前駆体蒸気を送達することができる送達装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power supply circuit capable of executing output control of two output voltages by one control voltage in an MMIC process for providing only one kind of a depletion FET.例文帳に追加

１種類のデプレッション型ＦＥＴのみを提供するＭＭＩＣプロセスにおいて、１つの制御電圧で２つの出力電圧の出力制御が可能である電源回路を提供する。 - 特許庁

A channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor has a process of forming an insulation film on a thin film, a process of forming an additional insulation film for the insulation film, and a process of implanting first conductive type impurities into a part near an interface between a semiconductor thin film and the insulation film.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、薄膜上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に対し追加絶縁膜を形成する工程と半導体薄膜と絶縁膜との界面近傍に第１導電型の不純物の注入を行う工程を有するようにした。 - 特許庁

Respective programmable elements are constituted of depletion type transistors D100, D101 being same as memory cells of a mask ROM apparatus, the depletion type transistors are programmed in a first program state of a conduction state in an ion injection process for memory cells of the mask ROM apparatus or in a second program state of a non-conduction state.例文帳に追加

プログラム可能な素子の各々はマスクＲＯＭ装置のメモリセルと同一の空乏型トランジスタＤ１００，Ｄ１０１で構成され、空乏型トランジスタはマスクＲＯＭ装置のメモリセルに対するイオン注入工程で導通状態の第１プログラム状態又は非導通状態の第２プログラム状態にプログラムされる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a partial SOI substrate, whereby complete depletion type MOS transistors can be formed in the SOI structure and silicide process is easy to apply.例文帳に追加

ＳＯＩ構造部分に完全空乏型ＭＯＳトランジスタを形成することができるとともに、サリサイドプロセスを容易に適用できる部分ＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The water feeding process data (including initial flow value, control time, and depletion period) that has been calculated from the water feeder characteristics of an electronic scope 10, is stored in EEPROM of the electronic scope 10.例文帳に追加

電子スコープ１０の送水管路の特性に基づいて演算された送水処理に関するデータ（初期流量値、制御時間、減少期間）を電子スコープ１０のＥＥＰＲＯＭに格納する。 - 特許庁