defect lengthとは 意味・読み方・使い方

As the defect echo length, 22 mm can be obtained from a reference value 25% of the defect echo height determined beforehand by a test piece or the like.例文帳に追加

予めテストピースなどによって定める欠陥エコー高さの基準値２５％から、欠陥エコー長さとして２２ｍｍを得ることができる。 - 特許庁

A defect kind decision unit 47 compares the defect addresses stored in the defect address storage unit 46 to decide whether the length of the longitudinal line flaw depends upon the exposure time, and records the decision result in a defect information recording unit 48.例文帳に追加

欠陥種別判定部４７は、欠陥アドレス格納部４６に格納された欠陥アドレスを比較して、縦線キズの長さが露光時間に依存するか否かを判定し、判定結果を欠陥情報記録部４８に記録する。 - 特許庁

In the method of marking the defect of the optical film, the defect of the optical film is marked using an ink generating fluorescence by light having wave length outside of that of visible light.例文帳に追加

光学フィルムの欠陥に対して、可視光外の波長の光にて蛍光するインクを用いてマーキングする光学フィルムの欠陥のマーキング方法。 - 特許庁

In the optical disk having an image forming layer on which a visible image can be drawn by irradiation of laser light, a ratio (B/A) of the maximum length (B) of a maximum bright defect to the maximum length (A) of a maximum dark defect is <1.例文帳に追加

レーザ光の照射により可視画像の描画が可能な画像記録層を有する光ディスクであって、最大暗欠陥の最大長（Ａ）と最大明欠陥の最大長（Ｂ）との比（Ｂ／Ａ）が１未満である光ディスクである。 - 特許庁

To provide a method for inspecting a mask defect with which a defect is inspected with high accuracy and within a minimum time length by automatically inspecting a minimum region on the mask to be subjected to EB defect inspection, a device for inspecting the mask defect, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ＥＢ欠陥検査をしなければならないマスク上の最小限の領域を自動的に検査することを可能にし、高精度の欠陥検査を最小時間で行うマスク欠陥検査方法、マスク欠陥検査装置、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A control mechanism 103 performs signal processing relative to the intensity of a reflected wave signal obtained from defect DE-V, defect DE-H or the like, when scanning at an optional angle with the ultrasonic wave, to thereby detect a defect and measure a length.例文帳に追加

制御機構１０３は、超音波を任意の角度で走査したとき、欠陥ＤＥ—Ｖおよび欠陥ＤＥ—Ｈ等から得られる反射波信号の強度を、信号処理を行うことで欠陥の検出および長さ測定を行う。 - 特許庁

To realize the defect inactivating method of a polycrystalline silicon substrate having a high diffusion length improving effect in hydrogen irradiation.例文帳に追加

水素照射における拡散長改善効果の高い、多結晶シリコン基板の欠陥不活性化方法を実現する。 - 特許庁

To continuously cast a high quality cast slab without developing the surface defect and the interval defect by varying a cooling length in a secondary cooling zone according to the casting velocity and the casting temperature.例文帳に追加

鋳造速度や鋳造温度に応じて２次冷却帯における冷却ゾーン長を可変することで、表面欠陥や内部欠陥の無い高品質の鋳片を連続鋳造する。 - 特許庁