dislocation distributionとは 意味・読み方・使い方

To provide a high-quality single crystal body having small distribution of thickness and having little dislocation and impurities due to temperature changes.例文帳に追加

厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質な単結晶体を提供する。 - 特許庁

The hardness distribution is obtained based on a dislocation density, by determining a lattice distortion from the rotational tensor group obtained from the crystal orientation distribution of a cubic crystal metal measured at 15 nm to 1 μm intervals and by obtaining the dislocation density based on the lattice distortion gradient from the lattice distortion.例文帳に追加

１５ｎｍ〜１μｍ間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。 - 特許庁

To provide an inexpensive and simple method of measuring which can observe the dislocation distribution on the front surface of a wafer without conventional mirror polishing process for the wafer sliced from a GaAs crystal.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶からスライスしたウェハについて、従来の鏡面研磨工程なしに、そのウェハ表面の転位分布を観察可能とする、安価で簡易な測定方法を提供すること。 - 特許庁

To produce a silicon single crystal of which oxygen concentration distribution in both the direction of crystal growth and the crystal plane can be uniformly controlled and in which the occurrence of a dislocation can be prevented.例文帳に追加

結晶成長方向の酸素濃度分布および結晶面内の酸素濃度分布を均一に制御するとともに、有転位化を防止できるシリコン単結晶を製造できる。 - 特許庁

A horizontal intensity distribution curve from an asymmetric diffraction plane of a crystalline sample in a reciprocal space is obtained by irradiating the surface of the crystalline sample with X-rays, and thus dislocation of the crystalline sample is evaluated based on the half-width of the intensity distribution curve.例文帳に追加

結晶試料の表面にＸ線を照射することにより、逆格子空間における結晶試料の非対称回折面からの水平方向の強度分布曲線を作成し、該強度分布曲線の半値幅により結晶試料の転位を評価する。 - 特許庁

To provide a crystal defect inspection method and a crystal defect inspection apparatus capable of detecting the positions of dislocation and lamination defects precisely and speedily with high sensitivity, when inspecting the in-plane distribution of dislocation and lamination defects existing in the epitaxial film of a silicon carbide single-crystal wafer for manufacturing a semiconductor element by an electroluminescence method.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、転位や積層欠陥の位置を高感度かつ高精度で、さらに高速で検出可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer cut out from the GaAs crystal is dipped and etched in an ammonia-based etchant for a fixed time duration or more, dried, and then dipped in a melting KOH liquid of predetermined temperature for the fixed time duration or more, and dried so that the dislocation distribution can be made observed.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶から切り出した半導体ウェハを、アンモニア系のエッチング液に一定時間以上浸漬してエッチングし、乾燥した後、所定温度の溶融ＫＯＨ液に一定時間以上浸漬し乾燥して、転位分布を観察可能にする。 - 特許庁