転位分布の英語

１５ｎｍ〜１μｍ間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。例文帳に追加

The hardness distribution is obtained based on a dislocation density, by determining a lattice distortion from the rotational tensor group obtained from the crystal orientation distribution of a cubic crystal metal measured at 15 nm to 1 μm intervals and by obtaining the dislocation density based on the lattice distortion gradient from the lattice distortion. - 特許庁

厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質なＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮなどの単結晶体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a high quality single crystal body of GaN, AlN, AlGaN or the like, which has little thickness distribution, and is almost free from dislocations caused by temperature change and impurities. - 特許庁

この半導体層は、半導体層の表面に近接して位置するシード層、およびそこに均一的に分布するレッディング転位を有することを含み得る。例文帳に追加

The semiconductor layer may include a seed layer disposed proximal to the surface of the semiconductor layer and having the threading dislocations uniformly distributed therein. - 特許庁

結晶成長方向および径方向の酸素濃度分布を均一に制御するとともに、有転位化を防止して優れた品質のシリコン単結晶を製造できる。例文帳に追加

To uniformly control the oxygen concentration distribution in the crystal growth direction and the radial direction, prevent dislocating and produce a silicon single crystal of excellent quality. - 特許庁

結晶試料の表面にＸ線を照射することにより、逆格子空間における結晶試料の非対称回折面からの水平方向の強度分布曲線を作成し、該強度分布曲線の半値幅により結晶試料の転位を評価する。例文帳に追加

A horizontal intensity distribution curve from an asymmetric diffraction plane of a crystalline sample in a reciprocal space is obtained by irradiating the surface of the crystalline sample with X-rays, and thus dislocation of the crystalline sample is evaluated based on the half-width of the intensity distribution curve. - 特許庁

ＧａＡｓ結晶からスライスしたウェハについて、従来の鏡面研磨工程なしに、そのウェハ表面の転位分布を観察可能とする、安価で簡易な測定方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an inexpensive and simple method of measuring which can observe the dislocation distribution on the front surface of a wafer without conventional mirror polishing process for the wafer sliced from a GaAs crystal. - 特許庁

エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、転位や積層欠陥の位置を高感度かつ高精度で、さらに高速で検出可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal defect inspection method and a crystal defect inspection apparatus capable of detecting the positions of dislocation and lamination defects precisely and speedily with high sensitivity, when inspecting the in-plane distribution of dislocation and lamination defects existing in the epitaxial film of a silicon carbide single-crystal wafer for manufacturing a semiconductor element by an electroluminescence method. - 特許庁

ここでは、Ｇｅアイランド２の剪断応力が、Ｇｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁に分布し、Ｇｅアイランド２の転位をＧｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁まで移動させることができる。例文帳に追加

Shearing stress of the Ge island 2 is distributed over an inclined side surface and a periphery of a top surface of the Ge island 2, and dislocation of the Ge island 2 can be moved to the side surface and the periphery of the top surface of the Ge island 2. - 特許庁