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dislocation groupとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 転位群
「dislocation group」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 95件
EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR REDUCING DISLOCATION IN GROUP III NITRIDE LAYER GROUP例文帳に追加
エピタキシャル基板およびＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法 - 特許庁
To provide a group III nitride layer group with low dislocation exhibiting excellent crystal quality, and also to provide a method for reducing dislocation of a group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加
低転位で結晶品質に優れたIII族窒化物層群を提供するとともに、形成すべきIII族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁
To provide an evaluation method of a group III nitride crystal capable of accurately measuring the dislocation density for each of various dislocation types, i.e., screw dislocation, mixed dislocation and edge dislocation in the surface of the group III nitride crystal.例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるＩＩＩ族窒化物結晶の評価方法を提供する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR LAMINATION STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCING DISLOCATION OF GROUP III NITRIDE LAYER GROUP例文帳に追加
半導体積層構造及びＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法 - 特許庁
METHOD OF EVALUATING DISLOCATION DENSITY OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加
ＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価方法 - 特許庁
To provide a group III nitride layer group of low dislocation exhibiting excellent crystal quality, and to provide a method for reducing dislocation of group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加
低転位で結晶品質に優れたＩＩＩ族窒化物層群を提供するとともに、形成すべきＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁
To provide a group-III nitride epitaxial substrate having a low dislocation density.例文帳に追加
低転位密度のIII族窒化物のエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁
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「dislocation group」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 95件
EPITAXIAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, AND METHOD FOR DECREASING DISLOCATION OF GROUP III NITRIDE LAYER GROUP例文帳に追加
エピタキシャル基板、半導体積層構造及びＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法 - 特許庁
To provide a method of simply forming a III-group nitride film of low dislocation density.例文帳に追加
低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供する。 - 特許庁
The second group III nitride 59 comprises areas having a lower dislocation density than that of the first group III nitride.例文帳に追加
第２のIII族窒化物５９は、第１のIII族窒化物の転位密度よりも小さい転位密度の領域を含む。 - 特許庁
To provide a nitride-based III group compound semiconductor in which through dislocation density is suppressed.例文帳に追加
貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。 - 特許庁
To provide group III nitride-based compound semiconductor reduced with through dislocation.例文帳に追加
貫通転位の軽減されたIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a group III nitride film of low dislocation by using an easy method.例文帳に追加
簡易な方法により低転位のIII族窒化物膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a group 3B nitride single crystal having low dislocation density and high quality.例文帳に追加
転位密度の低い高品質の３Ｂ族窒化物単結晶の製法を提供する。 - 特許庁
To provide a Zn-doped group 3B nitride crystal having high resistance and low dislocation density.例文帳に追加
高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁
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