dislocation generationとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for producing a silicon single crystal suppressing starting of dislocation induced in a silicon single crystal and reducing generation of pinholes.例文帳に追加

シリコン単結晶に生じる有転位化を抑制し、ピンホールの発生を低減し得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon wafer for epitaxial substrate, which suppresses generation of automatic doping and misfit dislocation in epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長時のオートドーピングおよびミスフィット転移発生を抑制するエピタキシャル基板用シリコンウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate wherein a thick nitride semiconductor film can be grown on a substrate and generation of penetrating dislocation is reduced.例文帳に追加

基板上に窒化物半導体を厚膜成長が可能であり、貫通転位を低減させた窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To prevent generation of dislocation to the inside of a crossover effectively without need for an extra additional space.例文帳に追加

余分な増加スペースを必要とすることなく、渡り線の内方へのずれを効果的に防止することができるインナーロータ型ステータを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitrogen- and boron-doped silicon single crystal, by which the single crystal almost free from the occurrence of first dislocation generation can be obtained without additionally adding a nitrogen or boron dopant.例文帳に追加

窒素又はボロンドープ材の追添加が不要で、有転位化する傾向が低い、窒素及びボロンを添加したシリコン単結晶を得る。 - 特許庁

To prevent the generation of a stress in a field region, and to prevent the induction of a dislocation in an active region in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、フィールド領域でのストレスの発生を防止し、アクティブ領域に転位が誘発されることを防止することにある。 - 特許庁

As a result, the fusing method can prevent the convection of the melt from becoming inhomogeneous and can produce the crystallization in which the generation of dislocation is inhibited.例文帳に追加

このため、融液の対流が不均一となることが防止され、転位の発生が抑制された結晶体を製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which fracture and rupture of a silicon single crystal can be prevented even if dislocation generation occur in the growth process of a straight body part.例文帳に追加

直胴部の育成過程で有転位化が生じても、シリコン単結晶の破断や破裂を防止できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁