diffusion transistorとは 意味・読み方・使い方

Prior to a process that forms a silicide film 25 on the surface of a transistor diffusion layer 24, the surface of the transistor diffusion layer 24 is subjected to recess etching.例文帳に追加

トランジスタ拡散層２４の表面にシリサイド膜２５を形成する工程に先だって、トランジスタ拡散層２４の表面をリセスエッチングする。 - 特許庁

A drain diffusion layer portion of the reset transistor and a drain diffusion layer portion of the amplification transistor are shared between different adjacent cells which share the pixels.例文帳に追加

更に、リセットトランジスタのドレイン拡散層部と増幅トランジスタのドレイン拡散層部を異なる画素共有単位隣接セル間で共有させる。 - 特許庁

The short transistor and a driver transistor have a diffusion layer in common coupled to the other storage node.例文帳に追加

ショートトランジスタおよびドライバトランジスタは、記憶ノードの他方に接続された共通の拡散層を有している。 - 特許庁

To provide a lateral diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor, and a method for manufacturing the transistor.例文帳に追加

本発明は、横方向拡散金属酸化物半導体（LDMOS）トランジスタと、これを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The first impurity diffusion layer 104 constitutes the drain region of a memory transistor MT and the source region of a selection transistor ST, and the first impurity diffusion layer 124 constitutes the drain region of the selection transistor ST.例文帳に追加

第１不純物拡散層１０４はメモリトランジスタMTのドレイン領域と選択トランジスタSTのソース領域、第１不純物拡散層１２４は選択トランジスタSTのドレイン領域をなす。 - 特許庁

To provide a transistor model generation device and a transistor model generation method, easily creating a transistor model reflecting a diffusion layer length-dependent parameter corresponding to each diffusion layer.例文帳に追加

それぞれの拡散層に対応する拡散層長依存パラメータが反映されるトランジスタモデルを容易に作成するトランジスタモデル生成装置、トランジスタモデル生成方法を提供する。 - 特許庁

A transistor includes a gate electrode 2, a gate insulating film 4, and a diffusion layer constituting the diffusion bit line 5.例文帳に追加

トランジスタは、ゲート電極２、ゲート絶縁膜４および拡散ビット線５を構成する拡散層とからなる。 - 特許庁

The transfer transistor, the short transistor and the driver transistor are continuously disposed via the diffusion layers in common, and thereby, variation of characteristics of the transfer transistor can be prevented.例文帳に追加

トランスファトランジスタ、ショートトランジスタおよびドライバトランジスタを共通の拡散層を介して連続的に配置することで、トランスファトランジスタの特性がばらつくことを防止できる。 - 特許庁