diffusion controlled currentとは 意味・読み方・使い方

The n^+-diffusion layer 14 is connected to the n-type well 12 regarding the diode 17, and a current is controlled by the diode 17.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層１４は、ダイオード１７に係るＮ型ウェル１２と接続され、ダイオード１７によって電流が制御される。 - 特許庁

Sometimes, a downward air current is formed on the foundation bed 3 by a suction device in place of the blower, and the diffusion of the pollutants in the pile 2 into the air is controlled by the downward air current.例文帳に追加

場合によっては、送気装置に代えて吸気装置により基盤３上に下向きの気流を形成し、下向気流によりパイル２中の汚染物質の大気中への揮散を抑制する。 - 特許庁

To obtain an air-fuel ratio sensor exhibiting a high yield of manufacture in which a stabilized pumping current can be obtained by preventing a material forming a spray layer of spinel, or the like, from adhering to a porous tubular body responsible for diffusion controlled reaction through a gas diffusion hole.例文帳に追加

拡散律速を担う多孔質筒体にガス拡散孔を介してスピネルなどの溶射層を形成する材料が付着することを防ぎ、安定したポンピング電流が得られ、製造歩留りの高い空燃比センサ素子を得る。 - 特許庁

To provide a method and a device where, in the case a semiconductor wafer or the like is plated with a metal film, for the purpose of solving the problem that ununiform electrodeposition occurs by the diffusion of plating current and the ununiformity of a fluid distribution, an electric field distribution and a fluid flow are controlled.例文帳に追加

半導体ウェーハなどに金属フィルムをメッキする場合、メッキ電流の拡散や、流体分布の不均一によって、不均一な電着を生じる問題を解決するために、電界分布や流体フローを制御する方法および装置を提供する。 - 特許庁

Since the supply rate of oxygen is controlled by the presence of the atmosphere diffusion rate controlling layer 38c also in a crack detection mode and the flow of large current into an oxygen ion conductive solid electrolyte 34 is suppressed, the oxygen ion conductive solid electrolyte 34 can be prevented from being deteriorated.例文帳に追加

クラック検出モード時にも大気用拡散律速層３８ｃの存在により酸素の供給が律速されて酸素イオン導電性固体電解質３４に大量に電流が流れるのが阻止されるので、酸素イオン導電性固体電解質３４の劣化を防止できる。 - 特許庁

By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加

こうして、シリコン化合物層１２ｉの、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴでの、Ｃｏ原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device for which various characteristics are highly accurately controlled by performing the run-in diffusion of a gate region while actually measuring a threshold voltage (Vth) defined by characteristics of a drain current (Ids) to an application voltage (Vds) between a source and a drain under a gate bias.例文帳に追加

ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁