etch cleaningとは 意味・読み方・使い方

Further, by removing or moving the etch residues 1, the parts hidden between the etch residues 1 and the silicon substrate appear on the surface thereof and are exposed to RCA cleaning solution, so that the heavy metal adhered thereto is also removed.例文帳に追加

また、エッチング残り１を除去しまたは移動させることにより、それまでエッチング残り１とシリコン基板との間に隠れていた部分も表に現れてＲＣＡ洗浄液に曝されるようになるため、そこに付着していた重金属も除去されるようになる。 - 特許庁

To provide a stripping and cleaning composition for removing a wide variety of both organic polymeric materials and plasma-etch residues without any reduction in a stripping rate of photoresist or any reduction in the effectiveness of removing plasma-etch residues.例文帳に追加

フォトレジストのストリッピング速度を減少することなく、またプラズマエッチ残留物を除去する能力を低下することのない、広範な種類の有機ポリマー物質およびプラズマ−エッチ残留物の双方を除去するストリッピングおよびクリーニング組成物を提供する。 - 特許庁

Employment of such a composition exhibits efficient cleaning capability for Al substrates and minimal silicon etch while protecting aluminum for substrates comprising both materials.例文帳に追加

そうした組成物の使用は、一方で両方の材料を含む基材でアルミニウムを保護しながら、Ａｌ基材での効率的なクリーニング能力、最小限のケイ素エッチングを示す。 - 特許庁

A wiring groove 11 is then formed by etching using a second mask 10, and the opening which reaches the wiring groove and the etch stopper film, is cleaned using a cleaning liquid.例文帳に追加

次に、第２のマスク１０を用いたエッチングにより、配線溝１１を形成した後、配線溝及びエッチストッパー膜に達する開口部に対して洗浄液を用いて洗浄する。 - 特許庁

The cleaning method for plasma etching equipment includes the steps of supplying a cleaning gas into a chamber 102 of plasma etching equipment 100, changing the cleaning gas into plasma in the chamber 102, and putting the cleaning gas, changed to plasma, into contact with a deposit adhering to the inner wall of the chamber 102 to etch and remove the deposit, thus performing plasma cleaning inside the chamber 102.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング装置のクリーニング方法は、プラズマエッチング装置１００のチャンバー１０２内に、クリーニングガスを供給する工程と、チャンバー１０２内において、前記クリーニングガスをプラズマ化する工程と、プラズマ化された前記クリーニングガスを、チャンバー１０２の内壁に付着した堆積物に接触させ、該堆積物をエッチング除去することにより、チャンバー１０２内のプラズマクリーニングを行う工程と、を含む。 - 特許庁

To obtain a wet-cleaning apparatus and wet-etching method, that can reduce fluctuation in product characteristics by making uniform the amount of etching in a wafer, when using etching liquid, such as a fluoric acid to etch a wafer an oxide film in wet cleaning treatment and the like.例文帳に追加

ウェット洗浄処理においてフッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等のウエハをエッチングする際にウエハ内でのエッチング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつきの低減化を図ることができるウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法を得る。 - 特許庁

The semiconductor wafer W includes a thin film formed on a rear face of a surface to which the ion is implanted, and a first cleaning solution that can etch the thin film is fed only to the rear face by a first cleaning solution feeding means 20, and simultaneously a ultrasonic wave is applied to the first cleaning solution.例文帳に追加

本発明は、イオン注入された面の裏面に薄膜が形成されている半導体ウェハＷの前記裏面のみに対し、前記薄膜をエッチングすることのできる第１の洗浄液を第１の洗浄液供給手段２０によって供給し、同時に第１の洗浄液に超音波を印加することを特徴としている。 - 特許庁

In a periphery part cleaning box 300 for cleaning selectively the periphery part of the wafer W, a second cleaning-liquid feeding nozzle, which feeds an etching liquid to remove slurry from the periphery part of the wafer and to etch an unnecessary thin film around the periphery part, is located around the periphery part of upper/lower surfaces of the wafer W.例文帳に追加

また、ウエハＷの周縁部を選択的に洗浄するための周縁部洗浄ボックス３００には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に、その周縁部からスラリーを除去したり、その周縁部の不要な薄膜をエッチングしたりするためのエッチング液を供給するための第２洗浄液供給ノズルが配設されている。 - 特許庁