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etching conditionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 エッチング条件
「etching condition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 213件
Condition of the dry etching is the same as condition of dry etching of a first time.例文帳に追加
ドライエッチングの条件は、一回目のドライエッチングの条件と同じである。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR SPECIFYING ETCHING CONDITION例文帳に追加
エッチング条件だし方法およびその装置 - 特許庁
The patterning process includes a first etching process for etching the processed film in a first etching condition and a second etching process for etching further the processed film in a second etching condition different from the first etching condition.例文帳に追加
このパターニング工程は、第１のエッチング条件で前記被処理膜のエッチングを行なう第１エッチング工程、および、第１のエッチング条件とは異なる第２エッチング条件で前記被処理膜のエッチングを更に行なう第２エッチング工程を含む。 - 特許庁
The etching amount is controlled depending on the number of etching times under a condition that the etching amount is decided independently of the etching time.例文帳に追加
エッチング時間に依存することなくエッチング量が定まる条件の下で、エッチング回数によってエッチング量を制御する。 - 特許庁
The etching is first executed under a condition of a large etching rate and then under a condition of a small etching rate.例文帳に追加
このエッチングは、最初にエッチングレートの大きな条件で実行し、次に、選択比は大きいがエッチングレートの小さな条件で実行する。 - 特許庁
The silicon nitride film 3 and the oxide film 2 are subjected to open-etching and over-etching under the same etching condition, and the over-etching step is carried out under a condition with a high selective ratio to silicon.例文帳に追加
シリコンチッカ膜３、酸化膜２は同一エッチング条件にて開口エッチングとオーバーエッチングを行い、オーバーエッチングは、対シリコンと高選択比となるエッチング条件で行う。 - 特許庁
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「etching condition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 213件
THREE-DIMENSIONAL SHAPE MEASURING DEVICE, ETCHING CONDITION DETERMINATION METHOD, AND ETCHING PROCESS MONITORING METHOD例文帳に追加
立体形状測定装置、エッチング条件出し方法およびエッチングプロセス監視方法 - 特許庁
In the second etching, etching is carried out under the condition where isotropic etching characteristics are strong, and the etching of the tungsten plug is not carried out so that tungsten residues can be completely removed.例文帳に追加
第２の過エッチングでは等方性エッチング特性が強い条件でエッチングし、タングステンプラグはエッチングされず、タングステン残留物を完全に除去する。 - 特許庁
An etching completion time or an etching rate is measured in the dry etching treatment to age the etching device 1 in a condition modified in response to the value.例文帳に追加
そのドライエッチング処理におけるエッチング終点時間またはエッチレートを測定し、その値に応じて変更された条件でエッチング装置１のエージングを行う。 - 特許庁
Next, the remaining part 22 of the cap film 20 and the low dielectric film 10 are etched at the same time under second etching condition different from the first etching condition (second etching step).例文帳に追加
次に、第１のエッチング条件とは異なる第２のエッチング条件で、キャップ膜２０の残部２２と低誘電率膜１０とを一括してエッチングする（第２のエッチング工程）。 - 特許庁
In the first step of an etching process, a rough control step is carried out on the condition that an etching rate becomes comparatively high.例文帳に追加
エッチング過程の当初は、比較的エッチングレートが高くなる条件で粗調整ステップが実行される。 - 特許庁
At etching a material using a two step etching method, a first etching step is terminated before a ground layer is exposed and a system moves to a second etching step, with the condition that etching speed be slower than the first etching step.例文帳に追加
二段階エッチング法を用いて被エッチング材のエッチングを行う際に、第１エッチング段階を下地層が露出する前に終了し、エッチング速度が前記第１エッチング段階より遅い条件で第２エッチング段階に移行する。 - 特許庁
The side wall of the laminate LB is etched on an etching condition where an etching speed of polycrystal silicon is higher than an etching speed of amorphous silicon.例文帳に追加
多結晶シリコンのエッチング速度がアモルファスシリコンのエッチング速度よりも速いエッチング条件で積層体ＬＢの側壁がエッチングされる。 - 特許庁
To provide an etching apparatus capable of easily controlling an etching shape without changing a process condition or a mask condition; and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加
プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁
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