extreme UVとは 意味・読み方・使い方

SUPPORTING FILM FORMATION COMPOSITION FOR MEASURING COEFFICIENT OF ABSORPTION OF THIN FILM BY EXTREME UV LIGHT AND MEASUREMENT METHOD例文帳に追加

極端紫外光による薄膜の吸収係数を測定する支持膜形成組成物及び測定方法 - 特許庁

To provide a TiO_2-SiO_2 glass having suitable thermal expansion properties as an optical member of an exposure tool for EUVL (Extreme UV Lithography).例文帳に追加

ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として好適な熱膨張特性を有するＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの提供。 - 特許庁

To decrease the exposure energy of extreme UV rays or electron beams for irradiating a resist film consisting of a chemically amplifying resist material.例文帳に追加

化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜に照射する極紫外線又は電子線の露光エネルギーの低減を図る。 - 特許庁

Silicon atoms are incorporated into a resist material to obtain a line absorption coefficient of 1.7433 μm^-1 or less in an extreme UV wavelength region.例文帳に追加

極紫外線波長域での線吸収係数が１．７４３３μｍ^-1以下となるように、レジスト材料にシリコン原子を含有させる。 - 特許庁

To provide exposure equipment for extreme UV-rays in which the light source light can be separated and heat load incident to the light source light can be removed, and to provide a method for fabricating a device.例文帳に追加

光源光の分離及びこれに伴う熱負荷を除去できる極端紫外線用の露光装置、及びデバイス製造方法を提供すること。 - 特許庁

The resist composition for the electron beams, extreme UV rays or X-rays contains a specific compound which generates acids by irradiation with active rays or radiations.例文帳に追加

活性光線又は放射線の照射により酸を発生する特定の化合物を含有することを特徴とする電子線、ＥＵＶ又はＸ線用レジスト組成物。 - 特許庁

The resist film 11 is selectively irradiated with extreme UV rays 12 patternwise and then developed with a developer solution to form a resist pattern 13.例文帳に追加

レジスト膜１１に対して極紫外線１２を選択的に照射してパターン露光を行なった後、レジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１３を形成する。 - 特許庁

To provide a resist composition for electron beams, extreme UV rays or X-rays which has excellent sensitivity and resolving properties, and satisfies rectangular pattern shapes, dissolution contrast, and edge roughness.例文帳に追加

感度と解像性に優れ、更には矩形なパターン形状、溶解コントラスト、エッジラフネスをも満足する電子線、ＥＵＶ又はＸ線用レジスト組成物を提供する。 - 特許庁