exciton transitionとは 意味・読み方・使い方

In the present invention, a light-emission can be obtained in a visible light region from violet to red by utilizing the exciton recombination and the transition to defect levels of the crystals.例文帳に追加

本発明においては、結晶の励起子再結合および欠陥準位への遷移を利用し、紫色から赤色までの可視光線領域に発光を得ることができる。 - 特許庁

The electron source is an indirect transition semiconductor composed of semiconductor material in which exciton binding energy is great, wherein the electron source forms an active layer by the indirect transition semiconductor, with ≥10% generation efficiency for free exciton with an electrode carrying out active layer current injection and converts a free exciton to a free electron in a negative electron affinity force surface formed in an active layer or in an active region to carry out continuous discharging.例文帳に追加

本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。 - 特許庁

To solve the following problem: although an ultraviolet-shielding wavelength close to a theoretical value is expected to be obtained because zinc oxide is a direct transition semiconductor, the application of zinc oxide to a sunscreen material is limited because recombination luminescence due to exciton occurs even at room temperature.例文帳に追加

酸化亜鉛は直接遷移型半導体であるため，理論値に近い紫外線遮蔽波長を得ることが期待できるが，室温においても励起子による再結合発光が生じるため，サンスクリーン材への応用は制限されている。 - 特許庁

An ultrafast optical switch 1 includes: a direct-transition type semiconductor device 2 with a predetermined film thickness d, capable of forming a discrete energy level; means (4 and 5) applying signal light 4a and control light 5a to the semiconductor device 2; and a wavelength filter 3 extracting only a response of a predetermined high-order exciton energy level emitted from the semiconductor device 2.例文帳に追加

本超高速光スイッチ１は、離散的エネルギー準位を形成し得る所定膜厚ｄの直接遷移型半導体素子２と、半導体素子２に信号光４ａおよび制御光５ａを照射する手段（４，５）と、半導体素子２から出射される所定の高次励起子エネルギー準位の応答のみを取り出す波長フィルタ３とを備える。 - 特許庁