elo-1とは 意味・読み方・使い方

The group III nitride semiconductor epitaxial substrate 10 comprises forming an ELO growth layer 4 of the composition of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) on a group III nitride layer 2 formed on a substrates 1, wherein the ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) growth layer 4 is formed using a mask pattern 3 consisting of carbon formed on the group III nitride layer 2.例文帳に追加

基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 - 特許庁

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2.例文帳に追加

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。 - 特許庁

The element has a GaP substrate 1, an active layer 4 which is positioned above the GaP substrate 1 and comprises an n-type AlInGaP layer and a p-type AlInGaP layer, and an ELO layer 3 which is positioned between the GaP substrate 1 and the active layer 4 and is formed by epitaxial lateral growth.例文帳に追加

ＧａＰ基板１と、ＧａＰ基板１の上方に位置し、ｎ型ＡｌＩｎＧａＰ層とｐ型ＡｌＩｎＧａＰ層とを含む活性層４と、ＧａＰ基板１と活性層４との間に位置し、エピタキシャル横方向成長により形成されたＥＬＯ層３とを備える。 - 特許庁

The substrate for growing a GaN-based crystal usable in the ELO technology is obtained by forming a mask layer 2 with a pattern which is constituted of mask areas (d) and non-mask areas (e) on the surface of a crystal substrate 1 on which the GaNbased crystal can grow.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、マスク領域ｄと非マスク領域ｅとが形成されるパターンにてマスク層２を形成し、ＥＬＯ技術に対応し得るＧａＮ系結晶成長用基板とする。 - 特許庁

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1.例文帳に追加

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。 - 特許庁