fabrication holesとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for forming holes in a backside dielectric layer of solar cells for fabrication of rear point contact.例文帳に追加

背面点接触を製造するために、太陽電池の裏側の誘電体層にホールを形成する方法を提供する。 - 特許庁

Thereupon, the Si and Al are first selectively arranged in the prepared hole segments and are subjected to prepared hole fabrication by electric discharge machining and thereafter diameter expansion fabrication is performed along the prepared hole segments by wire electric discharge machining, by which the through-holes are formed.例文帳に追加

そこで、本発明では先ず下穴部分にＳｉ、Ａｌを選択的に配置させ、Ｓｉ、Ａｌを放電加工で下穴加工し、次にワイヤ放電加工で下穴部分にそって拡径加工を行い貫通穴を形成する。 - 特許庁

To eliminate the shortcomings of the conventional wooden buildings such as making large holes and notches at the joint portions of the framework members which becomes the weakest points during earthquakes, considerable labor is required for making holes and navels resulting in high cost and hence fabrication and stocking of the member are hard.例文帳に追加

従来の木造建築は、軸組部材の接合部の穴堀と欠き取りが大きく、地震時に最大の弱点になっていた、穴掘り臍加工にも手間が掛かりコスト高である、部材を加工し、在庫が出来ない。 - 特許庁

To provide a material fabrication method rationally fabricating a material having multiple through-holes with the smallest opening diameter possible and a sufficient thickness, and also to provide an artificial mesh material and a catalyst unit.例文帳に追加

出来るだけ小さな開口径の多数の貫通孔を有し、且つ、十分な厚さを備えた材料を合理的に作製可能な材料作製方法、人工メッシュ素材、及び触媒ユニットを提供する。 - 特許庁

Through-holes 50 are formed to a bottom wall 42 of a lower flange 40 by secondary fabrication after molding and thereby a gate position of a metal mold for molding the lower flange 40 can be set at the central part of the lower flange 40.例文帳に追加

成形後に、二次加工によって、下フランジ４０の底壁４２に貫通孔５０を形成することで、下フランジ４０を成形する金型のゲート位置を下フランジ４０の中央部とすることができる。 - 特許庁

The invention is especially suitable for fabrication of a semiconductor device using a film of inorganic SOG series, and is suitable when an SOG film filling a limited region is formed and holes are made in that limited region.例文帳に追加

本発明は、特に、無機ＳＯＧ系列の膜を使用する半導体装置の製造に適切であり、狭い区域を充填するＳＯＧ膜を形成し、その狭い区域にホールを形成する場合に適切である。 - 特許庁

A large number of holes 24 are made by etching in the central part of a transistor of a passivation film 22 on the drain electrode D and the source electrode S of an output transistor formed with an ordinary thickness by LSI fabrication process and a highly conductive metal film 25 of gold or aluminum is deposited on the entire surface thereof.例文帳に追加

ＬＳＩ製造工程で通常の薄さに作成された出力トランジスタのドレインの電極Ｄとソースの電極Ｓの上のパシベーション膜２２のトランジスタの中央部位置にエッチングにより多数の孔２４を設ける。 - 特許庁