field oxidationとは 意味・読み方・使い方

METHOD AND APPARATUS FOR ANODIC OXIDATION, FIELD EMISSION TYPE ELECTRON SOURCE, AND MEMORY ELEMENT例文帳に追加

陽極酸化方法および陽極酸化装置および電界放射型電子源およびメモリ素子 - 特許庁

A manufacturing method for forming an insulating gate-type field effect transistor on silicon carbide includes a first oxidation process and a second oxidation process by an oxidation temperature higher than an oxidation temperature in the first oxidation process in a gate oxidized film manufacturing process by thermal oxidation.例文帳に追加

炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法である。 - 特許庁

To operate the field direction factor of silicon oxide film in an arbitrary direction in a three-dimensional oxidation simulation.例文帳に追加

三次元の酸化シミュレーションにおいて、任意方向のシリコン酸化膜界面の面方位因子を算出する。 - 特許庁

Even when the thermoelectric materials are sintered in the molding process, the oxidation of a crystal grain field can be prevented by the oxidation resistance coating, and the oxidation of the thermoelectric materials can be prevented even after the thermoelectric materials are molded, and the deterioration of electric conductivity due to an oxide film can be prevented.例文帳に追加

成型工程において焼結しても、耐酸化コーティングにより結晶粒界の酸化を防止でき、成型後においても熱電材料の酸化を防止して酸化膜による電気伝導度の低下を防ぐ。 - 特許庁

The field oxidized film 5 is formed on the surface of the silicon substrate 4 exposed in the opening 6 by selective oxidation.例文帳に追加

この開口６から露出するシリコン基板４の表面に、選択酸化によりフィールド酸化膜５が形成される。 - 特許庁

In another embodiment, the separation regions are formed of a field oxide film formed by a selective oxidation technique of silicon.例文帳に追加

別な実施形態において分離領域は、シリコンの選択酸化技術によって形成されたフィールド酸化膜により作られる。 - 特許庁

The liquid crystal composition exhibits selective reflection, and the selection reflection wavelength changes by the oxidation-reduction reaction by the electric field.例文帳に追加

本発明の液晶組成物は、選択反射を示し、電場による酸化還元反応によって選択反射波長が変化する。 - 特許庁

To provide an anodic oxidation and an electrochemical oxidation method for reducing the intra-plane fluctuation of the characteristics of an electronic device such as an electric field emission type electron source, the electric field emission type electron source having small intra-plane fluctuation of emission current, and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

電界放射型電子源のような電子デバイスの特性の面内ばらつきを小さくすることができる陽極酸化方法および電気化学酸化方法、エミッション電流の面内ばらつきが小さい電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。 - 特許庁