ga naとは 意味・読み方・使い方

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

A crucible 10 holds a mixed melt 290 containing metal Na and metal Ga, and the reaction vessel 20 covers the circumference of the crucible 10.例文帳に追加

坩堝１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとを含む混合融液２９０を保持する。 - 特許庁

It is an expression to indicate that a Japanese sentence is read with wrong delimiters, such as 'Benkei ga naginata wo motte sashi koroshita' (Benkei stabbed... to death with a naginata) mistakenly read as 'Benkei ga na, ginata wo motte sa, shikoroshita.'発音を聞く 例文帳に追加

「弁慶が薙刀を持って刺し殺した」という文を「弁慶がな、ぎなたを持ってさ、し殺した」と区切りを間違えて読むこと。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To simply and efficiently agitate a molten mix of Ga and Na in a production of a group III nitride semiconductor crystal by a Na flux method.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の製造において、ＧａとＮａの混合融液を簡易かつ効率的に攪拌すること。 - 特許庁

In Na and Ga mixed melting liquid 107 and on an Na and Ga mixed melting liquid surface 108, nitrogen gas or nitrogen components in the melting liquid supplied from the nitrogen gas and Ga are allowed to react so that continuous GaN crystals can grow, and that the crystal size can be made large.例文帳に追加

ＮａとＧａの混合融液中１０７及び混合融液表面１０８で、窒素ガス或いは窒素ガスから供給された融液中の窒素成分とＧａとが反応することで、継続的なＧａＮ結晶が成長し、結晶サイズの大きなものを得ることが可能となる。 - 特許庁

Therefore, the molten mix 19 of the Ga and the Na can be efficiently agitated during growth of a GaN crystal.例文帳に追加

したがって、ＧａＮ結晶の育成中にＧａとＮａとの混合融液１９を効率的に攪拌することができる。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor production apparatus comprises a feed pipe 15 for feeding nitrogen and silane, a Ga feed apparatus 16 for feeding a Ga melt to a crucible 11, and an Na feed apparatus 17 for feeding an Na melt into the crucible 11.例文帳に追加

III 族窒化物半導体製造装置は、窒素とシランを供給する供給管１５と、坩堝１１にＧａ融液を供給するＧａ供給装置１６と、坩堝１１にＮａ融液を供給するＮａ供給装置１７と、を有している。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a Cu-Ga film of a Ga additive concentration of 1-40 atom% to which Na is preferably added by a sputtering method, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁