gate‐recessの英語

To provide a field effect transistor having a small parasitic resistance by suppressing a highly increasing of a resistance caused by an influence of a stress generated in a gate recess region, in the field effect transistor using a group III-V nitride semiconductor having a gate recess structure.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有するIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ゲートリセス領域に生じる応力の影響に起因する高抵抗化を抑制し、寄生抵抗が小さい電界効果トランジスタを実現できるようにする。 - 特許庁

To form a gate recess as designed with no current leakage from a gate and low contact resistance of an ohmic electrode, related to an FET comprising the gate recess where a mesa structure is formed to separate elements.例文帳に追加

化合物電界効果型半導体装置に関し、メサ構造を形成することで素子間分離され、且つ、ゲート・リセスをもつＦＥＴに於いて、ゲートからの漏れ電流がなく、オーミック電極の接触抵抗が低く、設計通りのゲート・リセスが形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure that makes it possible to construct a semiconductor device with a gate recess structure, which hardly causes variations of threshold voltage, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

閾値電圧のバラつきが生じにくいゲートリセス構造の半導体装置を提供することが可能な、半導体構造を提供する。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of a semiconductor device capable of making a semiconductor device such as a high frequency element having a gate recess structure with a good yield.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有する高周波素子等の半導体装置を良好な歩留まりで製造することのできる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

A gate recess 5a is formed, by laminating a semiconductor layer 11 consisting of a III-V group nitride semiconductor on a substrate 1 and by etching the semiconductor layer 11.例文帳に追加

基板１の上にIII-Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層１１を積層し、半導体層１１をエッチングすることによりゲートリセス５ａを形成する。 - 特許庁

The compound semiconductor device includes: an i-InP etching stopper layer 5 which contains P as one of constituent components and is opposite to a gate recess 6A; an area which is within a region of the i-InP etching stopper layer 5 demarcated by the gate recess 6A and is formed thinner than the other area; and a gate electrode 9 formed in the thinned area.例文帳に追加

Ｐを組成の一部として含んでゲートリセス６Ａに対向するｉ−ＩｎＰエッチングストッパ層５と、ｉ−ＩｎＰエッチングストッパ層５のゲートリセス６Ａで画成された領域内に在って該領域内の他の領域に比較して薄くされた領域と、該薄くされた領域に形成されたゲート電極９とを備える。 - 特許庁

Here, before the second photoresist pattern 110 is removed, the semi-insulating GaAs substrate 101 is subjected to a plasma processing in an H_2S-containing atmosphere in order to stabilize the surface of the gate recess 111 with sulfur.例文帳に追加

ここで、ゲートリセス１１１を硫黄で表面安定化するため、第２のフォトレジストパターン１１０を除去する前にＨ_２Ｓを含む雰囲気下でプラズマ処理を加える。 - 特許庁

The respective GaAs layers 25, 27 are etched with a citric acid/hydrogen peroxide solution, respectively, whereby the gate recess of a two-stage structure is formed in these GaAs layers 25, 27.例文帳に追加

そして、各ＧａＡｓ層２５，２７をそれぞれクエン酸／過酸化水素溶液によってエッチングすることにより、これらのＧａＡｓ層２５，２７に二段構造のゲートリセスを形成する。 - 特許庁