gate oxidesとは 意味・読み方・使い方

A crystalline silicon film is thermally oxidized, and a gate insulating film, or the like of TFT is formed by generated oxides.例文帳に追加

結晶性珪素膜を熱酸化させ、生じた酸化物によってＴＦＴのゲイト絶縁膜等を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is thermally stable in after process and which is suitable for manufacturing a gate insulation film having a multilayer structure wherein various oxides of a high permittivity are laminated.例文帳に追加

後プロセスで熱的に安定で、また、各種高誘電率酸化物との積層構造ゲート絶縁膜作製に適した半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor integrated device is in inactive state, high voltage is not applied to gate oxides of PMOS 71 and NMOS 72, because a signal line Ls5 and the gate of the PMOS 71 are short-circuited with a D-NMOS 73, and the signal Ls5 and the gate of the NMOS 72 are short-circuited with a D-NMOS 74.例文帳に追加

半導体集積装置が非活性状態では、信号線Ｌｓ５とＰＭＯＳ７１のゲートとがＤ−ＮＭＯＳ７３で短絡されると共に、信号線Ｌｓ５とＮＭＯＳ７２のゲートとがＤ−ＮＭＯＳ７４で短絡され、ＰＭＯＳ７１及びＮＭＯＳ７２のゲート酸化膜に、高電圧が印加されなくなる。 - 特許庁

A problem inherent in an amount of a consumed on-chip die area and a speed lowering for an embodiment of a circuit according to a prior art is solved by this technique which practically supplies a direct-current voltage V_HVP to a gate of a first transistor of a pair of series-connected thin gate oxides.例文帳に追加

この発明の技術によると、先行技術の回路実現例において消費されるオンチップダイ面積量および速度低下に内在する問題は、直列接続された薄いゲート酸化物の対のうちの第１のトランジスタのゲートに対して実質的に直流の電圧Ｖ_ＨＶＰを提供することによって解決される。 - 特許庁

By forming an insulation film having a multilayer structure wherein metal oxides having a high permittivity are laminated, the gate insulation equivalent to a silicon oxide film in terms of a silicon oxide can be formed in a very small thickness of less than 3 nm, while suppressing the leakage current.例文帳に追加

さらに、高誘電率の金属酸化物を積層した多層構造絶縁膜を形成し、酸化珪素に換算した等価的なゲート絶縁膜を、リーク電流を抑制しながら３ｎｍ未満に薄くすることが可能となった。 - 特許庁

The transistor includes: a channel layer composed of upper and lower layers having different mobilities and composed of different oxides; source and drain electrodes which are disposed so as to be in contact with the channel layer at both opposite ends, respectively; and a gate configured to apply an electric field to the channel layer.例文帳に追加

トランジスタであって、相異なる移動度を有し、相異なる酸化物で形成される下部層及び上部層を備えるチャンネル層と、前記チャンネル層の対向する両端部にそれぞれ接触するソース及びドレインと、前記チャンネル層に電界を印加するためのゲートとを有する。 - 特許庁

A high dielectric gate insulation film 3 comprising an oxide 3b and dotted oxides 3a which are surrounded by the oxide 3b and each of which has a narrower bandgap than that of the oxide 3b is formed on a semiconductor substrate 2, and the electrons are accumulated in a local potential minimum generated by the difference between the bandgap of the oxide 3a and that of the oxide 3b.例文帳に追加

半導体基板２上に、酸化物３ｂと、酸化物３ｂに囲まれた酸化物３ｂよりバンドギャップが小さいドット状の酸化物３ａとから構成される高誘電ゲート絶縁膜３を形成し、酸化物３ａと酸化物３ｂのバンドギャップ差に起因して生じるローカルポテンシャルミニマムに電子を蓄積する。 - 特許庁