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gate oxidationとは 意味・読み方・使い方
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「gate oxidation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 244件
Then, the surface of the gate electrode 3 is subjected to wet oxidation.例文帳に追加
次に、このゲート電極3の表面を湿式酸化する。 - 特許庁
By thermal oxidation, a part of the gate electrodes formed in the region between the gate electrodes is replaced by a thermal oxidation film.例文帳に追加
熱酸化により、ゲート電極の間の領域に形成されたゲート電極の一部が熱酸化膜に置換される。 - 特許庁
Thereafter, a third oxide film 14 and a gate oxide film 15 are formed by oxidation treatment such as plasma oxidation or radical oxidation.例文帳に追加
次いで、プラズマ酸化やラジカル酸化等の酸化処理により、第3酸化膜14及びゲート酸化膜15が形成される。 - 特許庁
This reduces the load to the gate oxidation film of a transistor.例文帳に追加
このことは、トランジスタのゲート酸化膜に対する負荷を減らす。 - 特許庁
Controlling oxidation at the time of the side surface oxidation can control thickness of the gate insulating film to be enlarged.例文帳に追加
側面酸化時の酸化を抑制することで、ゲート絶縁膜厚の増大を抑える事ができる。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS例文帳に追加
スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁
To efficiently perform a thick gate oxidation, when plural gate oxide films having different thicknesses are formed by a one-time thermal oxidation treatment.例文帳に追加
厚さを異にする複数のゲート酸化膜を1回の熱酸化処理により形成する際に厚いゲート酸化を効率的に行なう。 - 特許庁
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「gate oxidation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 244件
Then, by the RIE, after a trench for a trench gate is formed, sacrificial oxidation and gate one are carried out.例文帳に追加
次に、RIEにより、トレンチゲートのためのトレンチを形成した後、犠牲酸化及びゲート酸化を行う。 - 特許庁
Since oxidation of the polysilicon upon the selective oxidation can be suppressed, variations in the thickness of the gate oxide film can be suppressed.例文帳に追加
選択酸化時のポリシリコンの酸化を抑制することで、ゲート酸化膜厚のばらつきを抑える事ができる。 - 特許庁
The plasma oxidation shortens ingress distance of oxidized species, and controls oxidation of a polysilicon film and a gate insulating film.例文帳に追加
プラズマ酸化により酸化種の侵入距離を短くし、ポリシリコン膜やゲート絶縁膜の酸化を抑制する。 - 特許庁
To disclose a single tunnel gate oxidation method for fabricating a NAND memory string where a gate oxide (24) of select transistor and floating gate memory transistor is fabricated in a single oxidation step.例文帳に追加
選択トランジスタと浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物(24)を単一の酸化工程で製造する、NANDメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を開示する。 - 特許庁
To provide a single tunnel gate oxidation process for fabricating NAND memory strings in which gate oxide of the selection transistor and floating gate memory transistor is fabricated in a single oxidation step.例文帳に追加
選択トランジスタ及び浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物を1つの酸化工程で製造する、NANDメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を提供する。 - 特許庁
To suppress the oxidation of a gate electrode due to the diffusion of an oxidizing agent during annealing.例文帳に追加
アニール時の酸化剤の拡散によるゲート電極の酸化を抑制する。 - 特許庁
The gate insulating film is formed by a thermal oxidation method by using dry oxygen.例文帳に追加
また、ゲート絶縁膜を乾燥酸素を用いた熱酸化法で形成する。 - 特許庁
Subsequently, gate oxidation is performed and a gate insulation film 5a is formed on the sidewall of the trench 4 and a gate insulation film 5b thicker than the gate insulation film 5a is formed on the bottom face of the trench 4.例文帳に追加
その後、ゲート酸化を行い、トレンチ4の側壁にゲート絶縁膜5aを、トレンチ4の底面にゲート絶縁膜5aより厚いゲート絶縁膜5bを形成する。 - 特許庁
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