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gate turnoffとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ゲートターンオフ
「gate turnoff」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
GATE TURNOFF THYRISTOR DEVICE AND BIPOLAR TRANSISTOR APPARATUS例文帳に追加
ゲートターンオフサイリスタ装置およびバイポーラトランジスタ装置 - 特許庁
To provide an insulated gate thyristor having a low on-resistance and capable of a gate turnoff.例文帳に追加
オン抵抗が低く、ゲートターンオフの可能な絶縁ゲート型サイリスタを提供する。 - 特許庁
To control an avalanche phenomenon in turnoff, improve the trade-off characteristic of saturation voltage-turnoff loss and RBSOA (Rutherford back scattering operation analysis), and control oscillation in turnoff in an IGBT (insulated gate bipolar transistor).例文帳に追加
ＩＧＢＴにおいて、ターンオフ時のアバランシェ現象を抑制し、飽和電圧−ターンオフ損失のトレードオフ特性およびＲＢＳＯＡを改善し、さらにはターンオフ時の発振を抑制すること。 - 特許庁
To provide a gate turnoff thyristor device that prevents failure, from being caused between anode and a gate by a surge voltage due to an off-gate current, and achieves miniaturization.例文帳に追加
オフゲート電流によるサージ電圧によるアノードとゲートとの間の故障の発生を回避可能で信頼性を向上でき、かつ、小型化を図れるゲートターンオフサイリスタ装置を提供する。 - 特許庁
Since commutation during turnoff can be born by the first gate terminal 15 between rows and the second and third gate terminals 16 and 17 on the end side, irregular commutation can be minimized.例文帳に追加
これにより、列間の第１のゲート端子１５と端側の第２,第３のゲート端子１６,１７とでターンオフ時の転流を分担できて、転流の不揃いを抑制できる。 - 特許庁
To provide a gate turnoff thyristor of a wide gap semiconductor having a mesa type emitter layer which can increase a controllable current.例文帳に追加
メサ型のエミッタ層を有するワイドギャップ半導体のゲートターンオフサイリスタにおいて、可制御電流を大きくできるものを提供すること。 - 特許庁
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「gate turnoff」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
This gate turnoff thyristor includes: an n-type first emitter layer; a p-type first base layer; an n-type second base layer; and a p-type second emitter layer in this order.例文帳に追加
ｎ型の第１のエミッタ層、ｐ型の第１のベース層、ｎ型の第２のベース層、ｐ型の第２のエミッタ層をこの順に備える。 - 特許庁
This ring-like gate terminal 10 of a GCT(gate-commutated turnoff) device for controlling large current at an operating frequency of 1 kHz or above is composed of a magnetic material, having maximum permeability of 15,000 or less (CGS Gausian unit system).例文帳に追加
周波数１ｋＨｚ以上の動作周波数で大電流を制御するＧＣＴ装置１のリング状ゲート端子１０を、最大透磁率が１５０００以下（ＣＧＳガウス単位系）となる磁性体の材料によって構成する。 - 特許庁
To provide an insulated gate semiconductor apparatus wherein one device structure prevents breakdown due to residual carriers upon switching while capable of lowering the on-voltage, and the other device structure increases breaking capacity, by accelerating the discharge of residual carriers in the vicinity of the chip especially upon turnoff.例文帳に追加
絶縁ゲート型半導体装置において、オン電圧の低減を可能としつつ、スイッチング時の残留キャリアによる破壊を防止することが可能な素子構造および特にターンオフ時におけるチップ周辺領域での残留キャリアの排出を促し、遮断耐量を高めることのできる素子構造を提供する。 - 特許庁
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