gate junctionとは 意味・読み方・使い方

JUNCTION GATE FET, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

接合型ＦＥＴ、半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR COMPATIBLE WITH VERTICAL REPLACEMENT GATE TRANSISTOR例文帳に追加

縦型リプレイスメント・ゲート・トランジスタと両立性のあるバイポーラ接合トランジスタ - 特許庁

To reduce variation in threshold voltages of the gate of a hetero junction transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合トランジスタにおいて、ゲートの閾値電圧のバラツキを低減すること。 - 特許庁

The upper gate layer 19 and the channel layer 17 form a pn junction 29b.例文帳に追加

上部ゲート層１９チャネル層１７とはｐｎ接合２９ｂを形成する。 - 特許庁

When it is used, the diode 430 lowers a gate voltage output from the gate drive chip applied to the gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor via the gate current limit resistor 445.例文帳に追加

使用時に、ダイオード４３０は、ゲート電流制限抵抗器４４５を介してワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に印加され、ゲート駆動チップからのゲート電圧出力を低下させる。 - 特許庁

In this case, the first gate insulating film is thicker than second and third gate insulating films and the structure of the first junction area is the same as that of the third junction area.例文帳に追加

この際、前記第１ゲート絶縁膜は前記第２および第３ゲート絶縁膜より厚く、前記第１接合領域は第３接合領域と同一の構造である。 - 特許庁

The channel layer 17 and the embedded gate layer 15 form a pn junction 29a.例文帳に追加

チャネル層１７と埋め込みゲート層１５とはｐｎ接合２９ａを形成する。 - 特許庁

To increase threshold voltage and decrease turn-on resistance in the gate forward direction in a junction gate field effect transistor.例文帳に追加

接合ゲート型電界効果トランジスタにおいてゲート順方向立ち上がり電圧を高く、かつ、オン抵抗を低くする。 - 特許庁