haze levelとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of polishing a semiconductor crystal wafer for stably obtaining a wafer having a low haze level, as well as a wafer obtained by the method.例文帳に追加

ヘイズレベルの低いウェハを安定に得るための半導体結晶ウェハの研磨方法及びその方法で得られるウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a grinder composition capable of remarkably reducing a haze level on the surface of a semiconductor wafer, and a grinding method using the composition.例文帳に追加

半導体ウエハ表面のヘイズレベルを顕著に低減することができる研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

Just after the completion of polishing, a semiconductor crystal wafer is rinsed with ultrapure water at a water temperature of 15°C or lower, to obtain a semiconductor crystal wafer having a low haze level.例文帳に追加

研磨終了直後に、水温１５℃以下の超純水で洗浄することにより、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハが得られる。 - 特許庁

A haze region is formed at least in a part of the main surface of the semiconductor wafer, and when the defect measurement is carried out in the haze region, the threshold value Vref2 of the scattered light intensity for distinguishing the crystal defect measurement point is set higher than the average scattered light intensity level of the entire haze region.例文帳に追加

半導体ウェーハは、主表面の少なくとも一部にヘイズ領域が形成されているものであり、該ヘイズ領域における欠陥測定を行なう際に、結晶欠陥測定点を識別するための散乱光強度の閾値Ｖref２を、ヘイズ領域全体の平均的な散乱光強度レベルよりも高く設定する。 - 特許庁

To provide a cleaning solution for silicon wafer that can suppress a fall in a Haze level, and a cleaning method using the same.例文帳に追加

Ｈａｚｅレベルの悪化を抑制することができるシリコンウェーハの洗浄溶液、およびそれを使用したシリコンウェーハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

It is used to polish the surface of a silicon wafer mechanically by its component (B) and chemically by its component (C), and to improve haze level by its component (D).例文帳に追加

研磨用組成物は、シリコンウエハ表面を成分（Ｂ）により機械的に研磨し成分（Ｃ）により化学的に研磨するとともに、成分（Ｄ）によりヘイズレベルを改善する。 - 特許庁

Thus, by cleaning the semiconductor crystal wafer with an acidic solution whose pH ranges from 3 to 5 immediately after the completion of the polishing, a semiconductor crystal wafer having a low haze level can be obtained.例文帳に追加

このため研磨終了直後にｐＨ３〜５の酸水溶液で半導体結晶ウェハを洗浄することにより、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハが得られる。 - 特許庁

When setting the concentration of the ammonium salt to 0.01 to 4 mass% and the concentration of the hydrogen peroxide to 0.1 to 8 mass%, the cleaning effect is obtained and the fall in the Haze level is suppressed.例文帳に追加

アンモニウム塩の濃度を０．０１〜４質量％、過酸化水素の濃度を０．１〜８質量％とすれば、洗浄効果が得られるとともに、Ｈａｚｅレベルの悪化が抑制される。 - 特許庁