意味 | 例文 (53件) |
hdp-aとは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「hdp-a」の意味 |
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hdp-a
fly | 遺伝子名 | hdp-a |
同義語(エイリアス) | heldup a; beadex/dLMO; dlmo; LIM-only; rhombotin; Lmo; dttg; Bx; maggot; mgg; flightless-H; Bd: Beaded; hld: heldwing; mgt; Beadex; Rhombotin; fliH; Pointedoid; CG6500; Bd; heldwing; hld; Ptd: Pointedoid; DLMO; Dlmo; dLMO | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:32846 | |
その他のDBのID | FlyBase:FBgn0000242 |
human | 遺伝子名 | HDPA |
同義語(エイリアス) | Hodgkin disease, susceptibility, pseudoautosomal | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:50829 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「hdp-a」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
Then, an HDP-NSG film 13 is deposited and a second trench 14 is formed in the project of the HDP-NSG film 13.例文帳に追加
次に、HDP−NSG膜13を堆積し、HDP−NSG膜13の凸部に第2のトレンチ14を形成する。 - 特許庁
After an element isolation trench 104 is formed in a semiconductor substrate 101, an HDP oxide film 108 is formed by using the HDP-CVD method.例文帳に追加
半導体基板101に素子分離溝104を形成した後、HDP−CVD法を用いてHDP酸化膜108を形成する。 - 特許庁
After a liner film 7 having a charge damage which is smaller than that of a HDP film 8a is formed on a gate electrode 3, the HDP film 8a is formed on the liner film 7 with the high density plasma CVD.例文帳に追加
HDP膜8aよりもチャージダメージの小さいライナ膜7をゲート電極3上に形成してから、高密度プラズマCVDにより、HDP膜8aをライナ膜7上に形成する。 - 特許庁
The HDP 4a is formed so that it becomes a film thickness B, that is approximately 103-117% of the trench depth A.例文帳に追加
当該HDP4aをトレンチ深さAの約103〜117%の膜厚Bとなるように形成する。 - 特許庁
To improve manufacturing yield by removing excessive HDP at the external circumference of a wafer with the CMP method, using a ceria slurry.例文帳に追加
セリアスラリーを用いたCMP法で、ウェーハ外周部の余計なHDPを除去し、歩留まりを向上させる。 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor device includes: an HDP oxide film 22 formed on the upper surface of the plasma SiON film 21; and a plasma SiN film 25 formed covering the HDP oxide film 22.例文帳に追加
さらに、複数の配線を覆うように、プラズマSiON膜21の上面に形成されたHDP酸化膜22と、HDP酸化膜22を覆うように形成されたプラズマSiN膜25とを備えている。 - 特許庁
Also, an interlayer insulating film 150 is formed on the upper part of the photon absorption film by a HDP system.例文帳に追加
また、前記フォトン吸収膜の上部にHDP方式によって層間絶縁膜150が形成されている。 - 特許庁
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「hdp-a」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
To provide a method of filling narrow-width high-aspect-ratio gaps by an HDP-VCD process.例文帳に追加
HDP−CVDプロセスによる、幅の狭い高アスペクト比のギャップを充填するための方法を提供する。 - 特許庁
The HDP-NSG film 16 which is flat and has little dispersion in a remaining film is subjected to wet etching, dry etching or CMP in good plane uniformity, and the HDP-NSG film 16 is thinned.例文帳に追加
次に、この平坦でかつ残膜ばらつきの少ないHDP−NSG膜16に、面内均一性のよい条件でウェットエッチング、ドライエッチングまたはCMPを施し、HDP−NSG膜16を薄膜化する。 - 特許庁
A second HDP-CVD oxide film 5 is formed so that a void 6 may be formed in a position lower than the aluminum wiring 2 between aluminum wiring 2, by adjusting the position of a semiconductor substrate placed fixedly with a HDP-CVD device at a substrate supporting stand in the chamber in an up-and-down direction.例文帳に追加
HDP−CVD装置で基板支持台に載置固定された半導体基板のチャンバー内における位置を上下方向に調節して、Al配線2間に当該Al配線2よりも低い位置にボイド6が形成されるように、第2のHDP−CVD酸化膜5を成膜する。 - 特許庁
Secondly, the second HDP oxide film 15 is polished by a CMP until the PL-TEOS oxide film 14 is exposed.例文帳に追加
次に、PL−TEOS酸化膜14が露出するまでCMPにより第2HDP酸化膜15を研磨する。 - 特許庁
A low-k dielectric layer is deposited on a protective film forming material layer by, preferably, HDP-CVD.例文帳に追加
低−k誘電体層を好ましくは、高密度プラズマ化学堆積法(HDP−CVD)により保護膜材料層上に堆積する。 - 特許庁
An HDP-NSG film 16 is further deposited and a fine projection in both sides of a trench is let down, and the surface of the film is flattened.例文帳に追加
次に、再びHDP−NSG膜16を堆積し、トレンチ両側の微小な突起を落とし、表面が平坦な膜にする。 - 特許庁
A liner oxide film 14 is formed by wet-oxidizing the inside of the groove 13, and the groove 13 is filled with a HDP oxide film 16.例文帳に追加
溝13内をウェット酸化することによりライナー酸化膜14を形成し、溝13内をHDP酸化膜16で埋める。 - 特許庁
The compressive stress layer 122 may include a high stress silicon nitride deposited using a high density plasma (HDP) deposition method.例文帳に追加
圧縮応力層122は、高密度プラズマ(HDP)堆積方法を使用して堆積された高応力窒化珪素を含むことができる。 - 特許庁
意味 | 例文 (53件) |
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