helium ionとは 意味・読み方・使い方

In the case of gross leak, the helium ion beam is not deflected so as not to enter the microchannel plate, but is allowed to enter a sector electrode, and an ion beam current is detected by the sector electrode.例文帳に追加

グロスリークの場合は、ヘリウムイオンビームを偏向せず、マイクロチャンネルプレートに入射させないで、セクター電極に入射し、セクター電極でイオンビーム電流を検出する。 - 特許庁

In this ion beam generating method, laser light having a wavelength of 1083 nm is irradiated into the helium plasma generated by high frequency discharge to carry out optical pumping.例文帳に追加

イオンビーム発生方法は、高周波放電によるヘリウムプラズマ中に波長１０８３ｎｍのレーザ光を照射して光ポンピングする。 - 特許庁

To avoid shortening of a lifetime of a microchannel plate caused by entrance of an excessive ion current into the microchannel plate used for a helium leak detector.例文帳に追加

ヘリウムリークディテクタに使用するマイクロチャンネルプレートへの過大なイオン電流の入射によって、マイクロチャンネルプレートの寿命が短くなることを避ける。 - 特許庁

Namely, the tungsten surface heated up to about 2,200°C surface temperature is made porous by irradiation with the high particle flux helium ion beam (6.7x10^20 He/m_2/s).例文帳に追加

即ち、高粒子束ヘリウムイオンビーム照射（６．７×１０^20Ｈｅ／ｍ^2／ｓ）により、表面温度２２００℃程度まで加熱されたタングステン表面を多孔質化する。 - 特許庁

To increase light intensity of fluorescence with a wavelength in a predetermined wavelength range with respect to excitation light with a wavelength in a predetermined wavelength range, compared with a nanodiamond in which a hydrogen ion or a helium ion is implanted.例文帳に追加

ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。 - 特許庁

The gas ion irradiation uses either nitrogen gas alone or a gas mixture of nitrogen gas and at least one gas selected from the group consisting of helium, hydrogen, and B_2H_6.例文帳に追加

ガスイオン照射には、ヘリウム、水素、及びＢ_２Ｈ_６からなる群から選択される少なくとも１種のガスと窒素ガスの混合ガス、あるいは単独の窒素ガスのいずれかを使用する。 - 特許庁

The thickness not larger than the longitudinal stop range of the helium ion corresponding to the bias voltage to be used in the step (b) is selected as the thickness of the carbon layer deposited in the step (a).例文帳に追加

ステップ（ａ）で堆積させる炭素層の厚みとしてステップ（ｂ）で使用されるバイアス電圧に対応するヘリウムイオンの縦方向ストップレンジより大きくない厚みが選択される。 - 特許庁

This board dicing method, using ion implantation, is used to implant a gas ion 22 of hydrogen gas or helium gas in the dicing line of a board 21 by utilizing an ion implantation method with the help of one mask, heating the board, cutting the board along the dicing line to complete dicing.例文帳に追加

イオン注入法を利用し並びに一つのマスクの補助により、水素ガス或いはヘリウムガス等のガスイオン２２を基板２１のダイシングライン中に注入し、さらに該基板に熱処理を進行し、基板を該ダイシングラインで裂開させて基板のダイシングを完成するイオン注入利用の基板ダイシング法としている。 - 特許庁