intrinsic stressとは 意味・読み方・使い方

For this purpose, the intrinsic stress preferably provides induced axial stresses within the gate electrode and semiconductor fin channel region which complement the piezoresistance coefficient intrinsic to the axial direction.例文帳に追加

この目的で、固有応力が、軸方向固有のピエゾ抵抗係数を補完するゲート電極内と半導体フィンのチャネル領域内とに、誘発された軸方向応力をもたらすことが好ましい。 - 特許庁

To solve the problem wherein a defective product, caused by warpage of a substrate due to stress is generated because stresses of an intrinsic semiconductor layer is increased, when the size of the substrate is increased.例文帳に追加

基板が大型化すると真性半導体層の応力が強いため、その応力による基板のそりが原因の不良品が発生する。 - 特許庁

The gate electrode is formed with an intrinsic stress determined to influence, and preferably optimize, charge carrier mobility within the channel region.例文帳に追加

ゲート電極は、チャネル領域内の電荷キャリア移動度に影響を及ぼし、好ましくは最適化するように決定される固有応力を備えて形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the stress control film on the field effect transistor, and changing an intrinsic stress of the stress control film by providing a heat treatment, or a plasma processing with ammonia or hydrogen to change the whole or a part of the material of the stress control film.例文帳に追加

電界効果トランジスタの上に応力制御膜を形成し、熱処理又はアンモニア又は水素によるプラズマ処理を施して、応力制御膜の全体又はその一部の材質を変化させることにより応力制御膜の真性応力を変更する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A stress balancing layer 14 provided in the ferroelectric thin film 10 so cancels and relaxes the intrinsic stresses existent in an electrode layer 12 and a PZT layer 13 themselves, and cancels and relaxes stress generated between a substrate 11 and the electrode layer 12, and stress generated between the electrode layer 12 and the PZT layer 13 so as to suppress the warp of the ferroelectric thin film 10.例文帳に追加

強誘電体薄膜１０に、ストレスバランス層１４を設けることで、電極層１２やＰＺＴ層１３自体に内在する応力、基板１１と電極層１２との間、電極層１２とＰＺＴ層１３の間に生じる応力を打ち消して緩和し、強誘電体薄膜１０の反りを抑制する。 - 特許庁

To provide a ceramic LTCC laminated body including a magnetic ceramic sheet in which the magnetic sheet is harder to be peeled off than a conventional one during sintering and/or intrinsic stress after sintering is small.例文帳に追加

磁気シートが、焼結中に従来よりも剥離し難くおよび／または焼結後の固有応力がわずかであるような磁気セラミックシートを備えたセラミックＬＴＣＣ積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a surface laminated electrode structure which relaxes an intrinsic stress generated after assembly and an extrinsic stress generated under conditions of use, and which is suitable for products having a shallow junction formed at a region particularly near a chip surface.例文帳に追加

組立後に発生する内在応力及び使用条件下で発生する外因性応力を緩和し、とくにチップ表面に近い領域に形成された浅いジャンクションを有する製品に適した表面積層電極構造を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring the intrinsic distortion of a surface modified member constituting means for properly evaluating the residual stress of a surface modified member.例文帳に追加

より適切に表面改質部材の残留応力を評価するための手段とすることが可能な表面改質部材の固有歪測定方法および表面改質部材の固有歪測定装置である。 - 特許庁