inversion electronとは 意味・読み方・使い方

To obtain an inversion nitride compound high electron mobility transistor which outputs a high power.例文帳に追加

高出力で動作する反転型の窒素化合物系高電子移動度トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To form two-dimensional electron gas (2DEG) effectively while facilitating formation of a semiconductor device in which an inversion type high electron mobility transistor (HEMT) is configured of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体により、反転型のＨＥＭＴが構成された半導体装置において、半導体装置の形成を容易としつつ２ＤＥＧを効果的に形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device 10 configuring such an inversion type HEMT, when the positive direction of polarization is the (0001) direction, the sum P2 of spontaneous polarization and piezoelectric polarization of the electron supply layer 17 is larger than the sum P1 of spontaneous polarization and piezoelectric polarization of the electron transit layer 19.例文帳に追加

このような反転型のＨＥＭＴが構成された半導体装置１０において、分極の正方向を［０００１］方向とした場合、電子供給層１７の自発分極とピエゾ分極の和Ｐ２が、電子走行層１９の自発分極とピエゾ分極の和Ｐ１よりも大きくなっている。 - 特許庁

The optical functional element is obtained by forming the polarization inversion structure at the temperature lower than the Curie temperature by using an electron beam scanning irradiation method or voltage application method in a part of a ferroelectric single crystal substrate preparedly using LiNbO3 crystal having 0.95 to 1.01 molar ratio of Li/Nb as the substrate, and the optical functional element controls the light passing through the polarization inversion part.例文帳に追加

Li/Nbのモル比が0.95〜1.01の範囲のLiNbO_3結晶を基板として用いた強誘電体単結晶基板の一部に、電子ビーム走査照射法または電圧印加法を用いてキュリー温度以下の温度で分極反転構造を形成し、この分極反転部を通過した光を制御する光機能素子。 - 特許庁

In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34.例文帳に追加

HEMT１０では、ゲート電極３６に印加する正の電圧を増加していくと、第２半導体層２６とゲート絶縁膜３４の界面２７に反転層が発生するのに先立って、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生する。 - 特許庁

A scanning electrode voltage correction circuit 1 outputs the selection voltage to put the scanning electrodes S1, S2, S3 into a selection state, a non-selection voltage to put these electrodes into a non-selection state and the inversion voltage for applying a reverse bias voltage to electron emission elements 2011 to 2016 in synchronization with the operation of the switching group of a scanning electrode selection circuit 5.例文帳に追加

走査電極電圧補正回路１は、走査電極Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を選択状態とする選択電圧と、非選択状態とする非選択電圧と、電子放出素子２０１１〜２０１６に逆バイアス電圧を印加するための反転電圧を、走査電極選択回路５のスイッチ群の動作に同期して出力する。 - 特許庁

This method for carrying out an asymmetric coupling reaction between different two kinds of aromatic compounds comprises reacting an aromatic lead compound having lead atom bonded to an aromatic ring, with a metal phenoxide compound in the presence of a tertiary amine compound having a fixed conformation hardly causing the inversion of an unshared electron pair of the nitrogen atom to mutually form the bond between aromatic rings to provide the objective asymmetrical compound.例文帳に追加

２種の異なる芳香族化合物間での不斉カップリング反応方法であって、芳香環に鉛原子が結合している芳香族鉛化合物と金属フェノキシド化合物とを、立体配座が固定されて窒素原子の非共有電子対が反転しにくい３級アミン化合物の存在下に反応させ、芳香環相互の結合を形成して不斉化合物を生成させる。 - 特許庁