inversion formationとは 意味・読み方・使い方

To prevent the inversion of a conductive type of an n type channel formation region due to B(boron) diffusion.例文帳に追加

Ｂ（ボロン）の拡散によってｎ型のチャネル形成領域の導電型が反転してしまうことを防止する。 - 特許庁

A threshold of formation of a population inversion layer between the first part of the gate insulating film and the bottom-end part of the p-type base layer is equal to or larger than a threshold of formation of a population inversion layer between the second part of the gate insulating film and the upper-end part of the p-type base layer.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の第１の部分とｐ形ベース層の底端部との間に反転分布層が形成される閾値は、ゲート絶縁膜の第２の部分とｐ形ベース層の上端部との間に反転分布層が形成される閾値以上である。 - 特許庁

For image formation on both surfaces, feeding is made in switch-back inversion, and when image formation is made on the second surface of the sheet, it is possible to prevent missing of transcription at the trailing edge of the second surface.例文帳に追加

また、両面画像形成のために、スウィッチバック反転搬送し、用紙の第２面に画像を形成する場合に、第２面目の後端の転写抜けを防止することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon substrate that enables formation of a region where p/n type inversion occurs, in a range of depth deeper than the conventional case.例文帳に追加

ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とするシリコン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growth method by which the formation of a so called lightning type inversion layer is hindered and an excellent PN junction is formed, and a semiconductor device.例文帳に追加

いわゆるイナズマ型反転層の形成を阻止でき、良好なＰＮ接合を形成することができる液相エピタキシャル成長方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photoelectric converting element that can suppress formation of an inversion layer formed where a silicon substrate and a silicon nitride film come into contact with each other.例文帳に追加

シリコン基板と窒化シリコン膜の接する部分に形成される反転層の形成を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form two-dimensional electron gas (2DEG) effectively while facilitating formation of a semiconductor device in which an inversion type high electron mobility transistor (HEMT) is configured of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体により、反転型のＨＥＭＴが構成された半導体装置において、半導体装置の形成を容易としつつ２ＤＥＧを効果的に形成する。 - 特許庁

A part of a nonlinear section guide 54 which constitutes an inversion path W4 is opened by the movement of a first movable wall 56 and a second movable wall 60 to a horizontal position P2, and a horizontal distance extending from an image formation position P toward the inversion path W4 is extended.例文帳に追加

第１可動壁５６及び第２可動壁６０が水平位置Ｐ２に移動することにより、反転路Ｗ４を構成する非直線部ガイド５４の一部が開放され、画像形成位置Ｐから反転路Ｗ４に向かって延びる水平方向の距離は延長される。 - 特許庁