incubation time siとは 意味・読み方・使い方

To improve uniformity of a dielectric film by eliminating incubation time when forming the dielectric film by Chemical Vapor Deposition (CVD) method on a silicon (Si) substrate surface covered with a thin molecular layer of an insulator and to control composition of the dielectric film in the thickness direction.例文帳に追加

薄い絶縁物の分子層で覆われたＳｉ基板表面にＣＶＤ法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。 - 特許庁

To improve uniformity in a dielectric film and control the composition along the thickness direction of the dielectric film by eliminating incubation time in forming the dielectric film by a CVD method on a Si substrate surface, that is covered by a thin molecular layer of an insulator.例文帳に追加

薄い絶縁物の分子層で覆われたＳｉ基板表面にＣＶＤ法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。 - 特許庁

If there is a heating process using gases such as nitrogen in the middle of formation of the multilayer dielectric film SI (for example, a thermal nitriding process for suppressing an incubation time) in the manufacture of the non-volatile semiconductor memory device, the heating process is performed after a nitrogen stop film (41: not shown in the figure) for protecting the peripheral transistor is formed.例文帳に追加

この製造において、積層誘電体膜ＳＩの形成途中に窒素を含むガスを用いた加熱工程（例えばインキュベーション時間抑制のための熱窒化処理）がある場合に、周辺トランジスタを保護する窒素阻止膜（４１：不図示）を形成し、当該加熱工程を行う。 - 特許庁