ion projection processとは 意味・読み方・使い方

In the ion implantation process 120, Si+ ions are introduced to the Si substrate that were subjected to the ion implantation process 110, with the ion implantation of a projection range Rp2 being smaller than the projection range Rp1.例文帳に追加

イオン注入工程１２０では，投影飛程Ｒｐ１より小さな投影飛程Ｒｐ２のイオン注入によって，イオン注入工程１１０を経たＳｉ基板に，Ｓｉ＋イオンを導入する。 - 特許庁

In the ion implantation process 110, impurity ions are introduced to the Si substrate through the ion implantation of a projection range Rp1.例文帳に追加

イオン注入工程１１０では，投影飛程Ｒｐ１のイオン注入によってＳｉ基板に不純物イオンを導入する。 - 特許庁

The above problem can be solved by comprising a process for forming a first optical transmissive film forming a column-like projection by spacing a prescribed interval on a semiconductor substrate, a process for forming a second optical transmissive film of the same material of the first optical transmissive film on the first optical transmissive film, and a process for irradiating argon ion toward the second optical transmissive film.例文帳に追加

半導体基板上に所定の間隔を隔てて柱状の突起部が形成された第１の光透過膜を形成する工程と、第１の光透過膜上に第１の光透過膜と同一の材料の第２の光透過膜を形成する工程と、第２の光透過膜に向けてアルゴンイオンを照射する工程と、を備えることで上記課題を解決することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein electric charge accumulated at a substrate side does not cause the deterioration of a transistor and the like even if a semiconductor process such as a plasma CVD method or an ion implantation method is carried out at the surface side of an insulating substrate and to provide an optoelectric device and a projection-type display device.例文帳に追加

絶縁基板の表面側でプラズマＣＶＤ法やイオン打ち込みなどの半導体プロセスを行なっても、基板側に蓄積した電荷がトランジスタなどを劣化させることのない半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁