ion yieldとは 意味・読み方・使い方

To maintain the convergence property relative to spatial expansion of ions in an ion reservoir in the optical axis direction, even in the case of using a triple-convergence spectral system, and to improve the ion yield.例文帳に追加

３重収束分光系を用いても、イオン溜内での光軸方向のイオンの空間的広がりに対する収束性を有し、しかも、イオン収率を向上させる。 - 特許庁

To provide a mass spectroscope capable of improving damages of a sample without lowering a secondary ion yield.例文帳に追加

二次イオン収率を低下させることなく試料の損傷を改善することができる質量分析器を提供する。 - 特許庁

To provide a process and an apparatus for drawing an oxygen negative ion which reduce the oxygen negative ion (O^-) generated from a side wall of an oxygen negative ion-generating substrate and increase an yield of a current value of the oxygen negative ion (O^-) which is to be drawn toward a Wehnert electrode.例文帳に追加

酸素負イオン発生基材の側壁から発生する酸素負イオン（Ｏ^−）を低減し、引出電極に向かって引出されるべき酸素負イオン（Ｏ^−）の電流値の収量を増加させる酸素負イオン引出方法及び引出装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a production method of an ion permeable membrane, by which generation of pinholes, irregular thickness or wrinkles in an ion permeable membrane can be prevented and the yield of the ion permeable membrane can be improved, and gas pressure resistance performance is improved.例文帳に追加

イオン透過性隔膜のピンホールの発生や厚みのムラ、ヨレ等を防止するとともに、イオン透過性隔膜の歩留まりを改善することができ、ガス耐圧性能を向上させたイオン透過性隔膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield.例文帳に追加

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。 - 特許庁

To establish a method for manufacturing a cyanoindole derivative without generating a dangerous gas and a waste water containing such a hazardous substance as a cyanide ion, a copper ion or the like, safely and in a high yield.例文帳に追加

危険なガスの発生やシアンイオン、銅イオンなどの有害物を含む廃水を生成させることなく、安全かつ、高収率でシアノインドール誘導体を製造する方法を確立する。 - 特許庁

To provide a platen for an ion implantation device capable of reducing metal contamination generating in a wafer and increasing a yield of a device manufactured from the wafer, and provide the ion implanting device.例文帳に追加

ウエハに発生する金属汚染を低減し、ウエハから製造されるデバイスの歩留りを向上させることができるイオン注入装置用プラテン、および、イオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.例文帳に追加

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁