ion acceleration voltageとは 意味・読み方・使い方

Thereafter, high-energy ion implantation such as well formation, etc., is performed by an acceleration voltage of 200 kV or higher.例文帳に追加

その後、ウェル形成などの加速電圧２００ｋＶ以上の高エネルギーイオン注入をおこなう。 - 特許庁

To provide a vertical acceleration type TOFMS which cannot be affected by withstand voltage performance of an ion detecting means.例文帳に追加

イオン検出手段の耐電圧性能に左右されない垂直加速型TOFMSを提供する。 - 特許庁

Ion injection is performed by a first acceleration voltage with respect to the inter-layer insulating film 140, thereby to form a first ion layer 310.例文帳に追加

層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the resist 2 is dissolved and eliminated, a new resist 2 is applied, an opening part is formed on another place and the ion implantation is performed with another acceleration voltage different from the acceleration voltage in the ion implantation performed previously.例文帳に追加

続いて、レジスト２を溶解除去し、新しいレジスト２を塗布して、別の場所に開口部を設け、先に行ったイオン注入における加速電圧とは別の加速電圧でイオン注入を行う。 - 特許庁

Ion implantation into the treating object is carried out using bivalent ions and establishing the total value of the bivalent extraction voltage and the bivalent acceleration voltage in implantation of the bivalent ions at a half value of the total value of a monovalent extraction voltage and a monovalent acceleration voltage in implantation of monovalent ions of the same ion species as the bivalent ions, and establishing the bivalent acceleration voltage smaller than the monovalent acceleration voltage.例文帳に追加

２価イオンを用い、その２価イオンを注入する際の２価用引出電圧及び２価用加速電圧の合計値を、その２価イオンと同一イオン種の１価イオンを注入する際の１価用引出電圧及び１価用加速電圧の合計値の半分の値に設定し、かつ、２価用加速電圧を１価用加速電圧よりも小さく設定して被処理体へのイオン注入を行なう。 - 特許庁

A positive voltage is applied to the split acceleration grid on the side for turning off an ion beam, and a negative voltage is applied to a deceleration grid 117.例文帳に追加

イオンビームをオフする側の分割加速グリッドに正電圧を印加し、更に減速グリッド１１７に負電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a low acceleration voltage ion beam projection aligner as an ion beam proximity projection exposure system for solving the problem of increase in the scale of an optical system, the decrease in resist sensitivity at a high acceleration voltage, and the problem of damage in masks and wafers in the ion beam projection aligner using the conventional high-acceleration ion beam.例文帳に追加

従来の高加速イオンビームを用いるイオンビーム露光装置における、光学系の大規模化の問題、また高加速電圧ではレジスト感度が低いことや、マスクやウェハの損傷の問題を解決するため、イオンビーム近接投影露光方式として低加速電圧のイオンビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

The ion implantation is performed under conditions of 3MV acceleration voltage and 1.0×10^15/cm^2 implantation rate.例文帳に追加

加速電圧３ＭＶ、注入量１．０×１０^15／ｃｍ^2の条件でイオン注入を行った。 - 特許庁