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ion depletionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 イオン枯渇
「ion depletion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
To prevent lowering of a nonlinear characteristic function by suppressing the evaporation of oxygen ion in a depletion layer.例文帳に追加
空乏層内の酸素イオンが気化することを抑制し、非線形特性機能の低下を未然に防止する。 - 特許庁
At that time, the energy of the impurity ion injection is set so that the depletion layer of the n+-type semiconductor region 15 can be prevented from reaching an SOI insulation layer 2.例文帳に追加
この時、不純物イオン注入のエネルギーはｎ^+型半導体領域１５の空乏層がＳＯＩ絶縁層２まで達しないように設定する。 - 特許庁
The device comprises a plurality of alternating ion depletion and concentration compartments, interposed between an anode assembly and a cathode assembly, through which flows either a product stream or a waste stream.例文帳に追加
装置は、生成物ストリームまたは廃棄物ストリームのいずれかが流れる、陽極アセンブリと陰極アセンブリとの間に介在する複数の交互のイオン減少および濃縮区画室を備える。 - 特許庁
By approximately matching a neutral axis Ns of bending where no stress acts with an alkali ion depletion layer 4 that causes warpage, warpage of the bonded substrate 3 can be effectively suppressed.例文帳に追加
応力が作用しない曲げ中立軸Ｎｓと、反りの原因となるアルカリイオン欠乏層４とを略一致させることにより、接合基板３の反りを効果的に抑制することができる。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging element which has a high-density impurity layer formed by ion injection at an element separation region end so that the element separation region does not come into contact with a depletion layer, pixel portions being downscaled.例文帳に追加
素子分離領域に空乏層が接しないように、イオン注入により高濃度不純物層を素子分離領域端に形成した固体撮像素子において、画素部の微細化を図る。 - 特許庁
Respective programmable elements are constituted of depletion type transistors D100, D101 being same as memory cells of a mask ROM apparatus, the depletion type transistors are programmed in a first program state of a conduction state in an ion injection process for memory cells of the mask ROM apparatus or in a second program state of a non-conduction state.例文帳に追加
プログラム可能な素子の各々はマスクＲＯＭ装置のメモリセルと同一の空乏型トランジスタＤ１００，Ｄ１０１で構成され、空乏型トランジスタはマスクＲＯＭ装置のメモリセルに対するイオン注入工程で導通状態の第１プログラム状態又は非導通状態の第２プログラム状態にプログラムされる。 - 特許庁
In the method for manufacturing MOS-FET semiconductor device using a perfect depletion type SOI layer, an impurity is ion-implanted adjusting implantation energy so that the peak concentration of the impurity to be ion-implanted into a channel area to control a threshold voltage exists in the SOI layer.例文帳に追加
本発明は、完全空乏型のＳＯＩ層を用いたＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法であって、閾値電圧制御のためにチャネル領域にイオン注入される不純物の濃度のピークが前記ＳＯＩ層中に存在するように注入エネルギーを調節して、前記不純物をイオン注入する。 - 特許庁
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「ion depletion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加
さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁
In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity.例文帳に追加
完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする - 特許庁
The anodic bonding method by heating a glass substrate 1 and a silicon substrate 2 and applying a voltage to bond these substrates includes a step of controlling the thickness of the glass substrate 1 or the silicon substrate 2 in such a manner that the position of a neutral axis Ns of bending of the bonded substrate 3 is approximately coincident with the position of an alkali ion depletion layer 4.例文帳に追加
本発明は、ガラス基板１とシリコン基板２とを加熱及び電圧印加してこれらを接合する陽極接合方法において、接合基板３の曲げ中立軸Ｎｓの位置が、アルカリイオン欠乏層４の位置と略一致するようにガラス基板１又はシリコン基板２の板厚を調整する工程を含むものである。 - 特許庁
Thus four types of MOS transistors can be formed by combining an enhancement type with a depletion type for ion implanting to control the threshold in two ion implanting steps for controlling the threshold.例文帳に追加
少なくとも２種類以上のしきい値を有する複数のＭＯＳトランジスタ領域表面にイオン注入により形成されたしきい値制御のための基板とは逆導電型の第１の不純物層を有するＭＯＳトランジスタと、前記第１の不純物層を有するＭＯＳトランジスタの内の少なくとも１種類のしきい値を有するＭＯＳトランジスタに基板と同一導電型の第２の不純物層が配置されたＭＯＳトランジスタと、第２の不純物層が配置されたＭＯＳトランジスタで構成される。 - 特許庁
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