ion modelとは 意味・読み方・使い方

To accurately predict an impurity concentration profile formed in a semiconductor substrate, by implanting impurities into the substrate through an amorphous film in a low-energy ion implantation method using an analytical model.例文帳に追加

低エネルギーイオン注入により非晶質膜を通じて半導体基板中に形成された不純物濃度プロファイルを解析モデルを用いて高精度に予測する。 - 特許庁

To estimate with higher accuracy an arsenic concentration profile formed within a semiconductor substrate through high energy ion implantation using zero tilt angle by utilizing an analysis model (Dual-Pearson function).例文帳に追加

ゼロ度のチルト角を用いた高エネルギーイオン注入により半導体基板中に形成された砒素濃度プロファイルを解析モデル（Ｄｕａｌ−ピアソン関数）を用いて高精度に予測する。 - 特許庁

When obtaining the ion distribution diffused from the ion generation device into the room of a simulation target, distributions of the air velocity and air pressure inside the room are calculated by use of the Navier-Stokes equation by the laminar flow model with a previously stored air velocity distribution inside the 1 m BOX as the initial condition, and the ion distribution is calculated from the obtained distributions.例文帳に追加

シミュレーション対象の部屋にイオン発生装置から拡散されるイオン分布を求めるに際し、予め記憶しておいた１ｍＢＯＸ内の風速分布を初期条件として、室内の風速及び風圧の分布を層流モデルによりナビエストークスの方程式を用いて算出し、求めた分布からイオン分布を算出する。 - 特許庁

When a locus of implantation ions is calculated by the Monte Carlo method to generate an ion implantation distribution, an electron stopping power S_e with respect to implantation ions is expressed by a combination of an electron stopping power S_eL of the Lindhard model, and an electron stopping power S_e-mB, corresponding to a modification of the electron stopping power S_eB of the Bethe model.例文帳に追加

注入イオンの軌跡をモンテカルロ法によって計算してイオン注入分布を発生させる際に、前記注入イオンに対する電子阻止能Ｓ_ｅを、リントハルトモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＬと、ベーテモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＢを修正した修正電子阻止能Ｓ_ｅ-ｍＢとの組合せにより表す。 - 特許庁

In other embodiment, the method includes a step in which the plasma impedance model of the plasma as a frequency function is provided and a current and voltage of a waveform that is connected to the plasma and has at least two different frequencies are measured so as to calculate ion mass of the plasma from the model and the measured current and voltage of the waveform.例文帳に追加

更に別の実施形態において、本方法は周波数の関数としてのプラズマのプラズマインピーダンスモデルを提供し、プラズマに結合され、少なくとも２つの異なる周波数を有する波形について電流と電圧を測定し、モデルと測定した波形の電流と電圧とからプラズマのイオン質量を求めることを含む。 - 特許庁

In this manufacturing method for the micro space structure bio-nano tool, a beam irradiation position and an irradiation time are determined based on three-dimensional model data designed by using a computer and the front end of a glass capillary is cut by a focused ion beam.例文帳に追加

微小立体構造バイオナノツールの製造方法において、電子計算機を利用して設計した微小立体構造物の三次元モデルデータに基づき、ビームの照射位置、照射時間を決定し、集束イオンビームによりガラスキャピラリーの先端部の切断加工を行う。 - 特許庁

The screening method of a solid polymer electrolyte deterioration preventing agent comprises a reaction process of dissolving or dispersing the metal compound, or precursor of the same, and a model compound in a solvent containing hydrogen peroxide and Fe^2+ ion, and leaving it for a prescribed period at a prescribed temperature, and a quantification process quantifying residual quantity of the model compound contained in the solvent after the reaction process.例文帳に追加

過酸化水素及びＦｅ^２＋イオンを含む溶液に、金属化合物又はその前駆体及びモデル化合物を溶解又は分散させ、ある一定の温度である一定時間保持する反応工程と、該反応工程終了後の溶液中に含まれる前記モデル化合物の残存量を定量する定量工程とを備えた固体高分子電解質劣化抑制剤のスクリーニング方法。 - 特許庁

A flow field inside a room having specific size and shape is previously obtained in the fluid numerical analysis by a turbulence model using uneven meshes or the like, and the inside of a 1 m BOX in the neighborhood of an ion generation device is newly divided into even meshes, is replaced with an air velocity in the even meshes, and is stored as an initial condition.例文帳に追加

予め、特定の大きさ及び形状の室内での流れ場を不均等メッシュを用いた乱流モデルにより流体数値解析にて求めておき、イオン発生装置の周囲１ｍＢＯＸ内を均等メッシュに分割しなおして当該均等メッシュにおける風速に置き換えて初期条件として記憶しておく。 - 特許庁