imonとは 意味・読み方・使い方

Imon Meiji Yasuda Seimei Building - Southwest corner of the intersection発音を聞く 例文帳に追加

井門明治安田生命ビル-交差点南西角 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The flag edge is put on when the large-small relation between the sensed amperage Imon in the solenoid coil and the reference value Iref is inverted.例文帳に追加

フラグｅｄｇｅは、電磁コイル１００の検出電流Ｉ_mon と基準値Ｉ_ref との大小関係が反転した際に、オン状態とされる。 - 特許庁

A current monitor means consisting of a current mirror circuit 2 monitors a current signal converted by a photoelectric conversion means to generate a monitor current Imon.例文帳に追加

カレントミラー回路２からなる電流モニタ手段は、前記光電変換手段により変換される電流信号をモニタしてモニタ電流Ｉmonを生成する。 - 特許庁

An optical receiving circuit 1 provides a PD 10, which receives an optical signal and generates a photocurrent Ipd, and a current monitor circuit 20 comprising a current mirror circuit including a first current path 23a connected to the PD 10 and a second current path 23b generating a monitor current Imon corresponding to the photocurrent Ipd.例文帳に追加

光受信回路１は、光信号を受け光電流Ｉｐｄを生成するＰＤ１０と、ＰＤ１０に接続された第１の電流経路２３ａ、および光電流Ｉｐｄに対応するモニタ電流Ｉｍｏｎを生成する第２の電流経路２３ｂを含むカレントミラー回路を有する電流モニタ回路２０とを備える。 - 特許庁

A gain control means consisting of a transimpedance amplifier 5, a feedback resistor R2, an inverting amplifier 6 and an operational amplifier 8 controls a conversion gain of the current voltage conversion means on the basis of the current signal Imon monitored by the monitor means in such a way that a voltage signal outputted from the current voltage conversion means is not saturated.例文帳に追加

トランスインピーダンスアンプ５、帰還抵抗Ｒ２、反転アンプ６、オペアンプ８からなる利得制御手段は、前記電流電圧変換手段から出力される電圧信号が飽和しないように、前記モニタ手段によりモニタされた電流信号Ｉmonに基づき前記電流電圧変換手段の変換利得を制御する。 - 特許庁

The current monitor circuit 20 includes a first p-type MOSFET 21 supplying the photocurrent Ipd to the first current path 23a and a second p-type MOSFET 22 supplying the monitor current Imon to the second current path 23b, wherein a bias condition of the first and second MOSFETs 21, 22 is set equal to each other.例文帳に追加

電流モニタ回路２０は、第１の電流経路２３ａに光電流Ｉｐｄを供給する第１のｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１と、第２の電流経路２３ｂにモニタ電流Ｉｍｏｎを供給する第２のｐ型ＭＯＳＦＥＴ２２とを有しており、第１及び第２のｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１，２２のバイアス条件は互いに等しく設定されている。 - 特許庁