impurity compensationとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device that can stably reduce harmonic distortion without injecting an impurity into a silicon layer or a silicon substrate for compensation doping.例文帳に追加

シリコン層又はシリコン基板に補償ドープのために不純物を注入する必要がなく、安定的に高調波歪を低減する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element wherein, in the formation of an embedded gate structure using an epitaxial growth technology, a channel compensation process with high impurity concentration does not increase the impurity concentration at a channel part.例文帳に追加

エピタキシャル成長技術を用いた埋め込みゲート構造の形成において、高不純物濃度のチャンネル補償処理を行っても、チャンネル部不純物濃度を増加させることのない半導体素子の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid photographing device that can suppress the reduction of dynamic range due to compensation of impurities in an impurity area for accumulating signal charge, as well as the reduction of sensitivity due to STI structure.例文帳に追加

信号電荷を蓄積する不純物領域の不純物が補償されることに起因するダイナミックレンジの低下及びＳＴＩ構造に起因する感度の低下を抑制することができる固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, which can make a recovery from the damages to the crystal of a polycrystalline semiconductor layer, which is generated by a collision of ions in an impurity doping process, and also can make compensation for uncombined species.例文帳に追加

不純物のドーピング工程でのイオンの衝突によって発生した結晶のダメージ回復が行えると同時に、未結合手の補償を行うことの可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The formation of a silicon oxide film 14 using a reduced CVD method is conducted within a reaction furnace at a temperature lower than 850°C and the impurity activation annealing of a compensation regions 17, which are formed in a substrate under the bottom of contact holes 16, is conducted through RTA(rapid thermal annealing) at a temperature lower than 1,000°C.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜１４の成膜は、８５０℃未満の反応炉（ファーネス）内で行い、コンタクト・ホール１６の底面の基板内に形成される補償領域１７の不純物活性化アニールは、１０００℃未満のＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）で行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is stable and reduces the fluctuation or dispersion of characteristics, by suppressing the diffusion of an impurity inside a silicone substrate after compensation ion injection, and preventing the fluctuation of transistor characteristics or element separation characteristics.例文帳に追加

補償イオン注入後の不純物のシリコン基板内での拡散を押さえ、トランジスタ特性や素子分離特性の変動を防止することができ、安定で特性の変動やばらつきの少ない半導体装置を実現することができる半導体装置のコンタクト形成方法の提供を課題とする。 - 特許庁