implantationsとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 移植、留置、植え込み、埋め込み、留置術、埋入、インプラント術、注入、着床
「implantations」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
With this, we could save life of those children who had given up the implantations.例文帳に追加
これで 移植を 諦めていた 子供たちの命を 救える。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Then, from the opening 13, ion implantations 15a and 15b are obliquely performed.例文帳に追加
次に、開口１３から、斜めにイオン注入１５ａ、１５ｂを行う。 - 特許庁
In first and second implantations, the size of a gate electrode is changed in accordance with LDD length.例文帳に追加
第１回目と第２回目の注入時で、ゲート電極の寸法をＬＤＤ長さに対応して変える。 - 特許庁
Both ion implantations can be effected using the same mask prior to well diffusion.例文帳に追加
これにより、ウエル拡散前にイオン注入を行い、両イオン注入を同一マスクで行うことを可能としている。 - 特許庁
To allow pattern fonts to be extended to a machine readable area, and to allow the creation of individualized implantations using common software.例文帳に追加
パターン・フォントが機械可読領域に拡張されることを可能にし、普通のソフトウェア用いて個別化された埋め込みの作成を可能にする。 - 特許庁
In other words, different implantations may be achieved respectively by customized ion beams without high cost and complex operation.例文帳に追加
つまり、高コストで、複雑な操作なしでも、それぞれ、特製のイオンビームにより、異なるイオン注入を実行する目的を達成することができる。 - 特許庁
A key advantage of the method is that no additional implantations or treatments are required by using the metal gate etch for introducing fluorine.例文帳に追加
この方法の優位点は、この方法がＦを導入するための金属ゲートエッチングを用いて、追加の注入や処理が不要であることである。 - 特許庁
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「implantations」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
By the oblique ion implantations 15a and 15b, a region 16c where ions are not implanted is formed at the center of the semiconductor substrate 10 in the opening 13.例文帳に追加
この斜めのイオン注入１５ａ、１５ｂにより、開口１３における半導体基板１０の中央部にイオンが注入されない領域１６ｃが形成される。 - 特許庁
Hereby, the controllability of thickness of a polycrystalline silicon film 8b, which contains relatively large crystal grains and is formed in the upper part of the film 8, is improved and moreover, uniformity of the temperature within the surface of a semiconductor wafer at these ion implantations is improved.例文帳に追加
これにより、シリコン膜８の上部に形成される結晶粒が相対的に大きい多結晶のシリコン膜８ｂの厚さの制御性が向上し、さらに、これらイオン打ち込み時の半導体ウエハ面内の温度の均一性が向上する。 - 特許庁
To provide an ion implanter capable of carrying out the implantation of a plurality of ion types in parallel, setting desired conditions to each different ion type, and performing a plurality of ion implantations with excellent processing efficiency and low cost.例文帳に追加
複数の異なるイオン種の注入を並行して実行でき、異なるイオン種に対しそれぞれ独自に所望のイオン注入条件を設定でき、良好な処理効率で低コストの複数種のイオン注入を行うことの可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
When the silicon wafer 1 is heat treated at 1150°C, implanted oxygen ions and defects generated by ion implantations are allowed to grow as nuclei and a fine defect layer 5 of 1-2 μm thickness which includes growing deposited nuclei 4 is formed on the lower area of the epitaxial layer 2 as a gettering site.例文帳に追加
次に、１１５０℃で熱処理することにより、注入された酸素イオン及びイオン注入により生じた欠陥を核として成長させ、エピタキシャル層２の下部領域に、ゲッタリングサイトとなる成長した析出核４を含んだ厚さ１〜２μｍの微小欠陥層５を形成する。 - 特許庁
In a semiconductor device 100 which is provided with a silicon substrate 102 and a MOSFET 110 of an LDD structure formed in the substrate 102, an LDD section of the MOSFET 110 is formed by two or more ion implantations in which implantation energy is different, respectively.例文帳に追加
シリコン基板１０２とシリコン基板１０２上に形成されるＬＤＤ構造のＭＯＳＦＥＴ１１０とを備える半導体装置１００において，ＭＯＳＦＥＴ１１０のＬＤＤ部は，相互に注入エネルギが異なる２度以上のイオン注入により形成されることを特徴としている。 - 特許庁
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