implantation profileとは 意味・読み方・使い方

To perform ion implantation to a prescribed region in which source/drain regions should be formed precisely with a desired profile by solving the problem of photoresist residue without generating the alignment deviation of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のアライメントずれを生ずることなくフォトレジスト残留の問題を解消し、ソース／ドレイン領域を形成すべき所定の領域に所望のプロファイルで高精度にイオン注入する。 - 特許庁

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.例文帳に追加

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a CMOS image sensor capable of attaining an implantation profile ensuring good characteristics in an intrinsic NMOS transistor while reducing the cost by simplifying a fabrication process of photodiode.例文帳に追加

フォトダイオード形成工程を単純化してコスト低減させ、固有ＮＭＯＳトランジスタにおいて良好な特性を確保し得る注入プロファイルを得ることができるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In order to optimize the impurity profile of a photodetection pixel of a solid-state image pickup element by colors that respective pixels take charge of, a sensor structure has a profile of multi-stage constitution increased in photoelectric conversion efficiency along the depth of a silicon substrate, by performing ion implantation of n+ impurities of a sensor divisionally a plurality of times while the energy and mask pattern are changed.例文帳に追加

固体撮像素子における受光画素部の不純物プロファイルを各画素が受け持つ色毎に最適化させるために、センサ部のｎ＋不純物を複数回に分けてエネルギやマスクパターンを変えてイオン注入を行い、シリコン基板の深さ方向への光電変換効率を上げた多段構成のプロファイルを持つセンサ構造とする。 - 特許庁

To provide a spacer which has a collapsed configuration and an expanded configuration, presents a smaller profile in the collapsed configuration for facilitating minimally invasive implantation of the spacer, and keeps separation between adjacent spinous processes.例文帳に追加

たたまれた形状および拡張された形状を有し、たたまれた形状においては、スペーサの最小侵襲性植込みを容易にするためのより小さなプロファイルを提示する、隣り合う棘状突起間の分離を維持するためのスペーサを提供する。 - 特許庁

A P type semiconductor region for forming an N type insulated gate field effect transistor employs high energy ion implantation in order to attain such a concentration profile as having peaks in the vicinity of source and drain thereof and the final heat treatment is carried out in hydrogen atmosphere of about 430°C.例文帳に追加

特にＮ型絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタを形成するＰ型半導体領域はそのソース、ドレイン近傍にピークを持つ濃度プロファイルとなるよう高エネルギーイオン注入を用い、最終熱処理工程は４３０℃程度の水素雰囲気で行うものとする。 - 特許庁

After etching the dielectric film pattern 110a exposed by the polysilicon film pattern 120b, a source region 134a/a drain region 134b having a vertical profile are formed by means of the ion implantation of impurities into the substrate by using the polysilicon film pattern as a mask.例文帳に追加

ポリシリコン膜パターン１２０ｂにより露出される誘電膜パターン１１０ａをエッチングした後、ポリシリコン膜パターンをマスクとして用いて、基板に不純物をイオン注入することにより、垂直プロファイルを有するソース領域１３４ａ／ドレーン領域１３４ｂを形成する。 - 特許庁

The electrically conductive well (2) is generated by means of high-energy ion implantation and subsequent heating, so that it has a doping profile which either has a maximum located at a depth T_1 from the planar surface (5) of the electrically conductive well (2), or is essentially constant up to a depth T_2.例文帳に追加

導電性ウェル（２）は、それが導電性ウェル（２）の平坦面（５）から深さＴ_１に位置する最大値を有するか、または深さＴ_２まで本質的に一定であるかのどちらかのドーピング分布を有するように、高エネルギーイオン注入法およびその後の加熱によって生成される。 - 特許庁