junction wellとは 意味・読み方・使い方

A semiconductor device is provided including a first potential well 12 located within a pn junction 10 and a second potential well 4 not located within a pn junction.例文帳に追加

ｐｎ接合１０内に位置する第１のポテンシャル井戸１２と、ｐｎ接合内に位置しない第２のポテンシャル井戸４とを備える半導体デバイスが提供される。 - 特許庁

The base/collector junction turns into the bonding of the collector well and the base well so that an interval between the collector and the emitter can be shortened.例文帳に追加

ベース／コレクタ接合がコレクタ井戸とベース井戸の接合になることにより、コレクタとエミッタの間隔が短縮される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor device that reduces a junction leak in a junction portion between a drain and a well of an unselected cell at high temperature.例文帳に追加

不揮発性半導体装置において、高温時での非選択セルにおけるドレインとウェルとの接合部の接合リークを低減する。 - 特許庁

The P-N junction, formed by the junction between the P well and the N+ region which is covered by polysilicon, is responsive to green light.例文帳に追加

また、ＰウェルとＮ^+領域の間の接合によって形成される、多結晶シリコンで覆われたＰＮ接合は、緑色光に反応する。 - 特許庁

The semiconductor device may additionally include a third potential well 8 not located within a pn junction.例文帳に追加

半導体デバイスはｐｎ接合内に位置しない第３のポテンシャル井戸８をさらに備え得る。 - 特許庁

METHOD OF PROCESSING HIGH VOLTAGE p++/n- WELL JUNCTION AND DEVICE OBTAINED THEREOF例文帳に追加

高耐圧ｐ＋＋／ｎ−ウエル接合部を処理形成する方法および該方法によって得られた装置 - 特許庁

The N- diffusion layer 17b does not cover the N+ diffusion layer 17a at a junction part (2), and the N+ diffusion layer 17a is joined to the P+- well 9 at the junction part (2).例文帳に追加

Ｎ^-拡散層１７ｂは接合部分 でＮ^+拡散層１７ａを覆っておらず、Ｎ^+拡散層１７ａは接合部分 でＰ^+-ウエル９と接合している。 - 特許庁

By this oxidation, the depth of pn junction made between the P well 6 and the N-type region 6 becomes shallow.例文帳に追加

この酸化により、Ｐウェル５とＮ型領域６で形成されるｐｎ接合深さが浅くなる。 - 特許庁