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junction formationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 接合形成
「junction formation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 122件
ULTRASONIC JUNCTION TOOL, ULTRASONIC JUNCTION DEVICE AND JUNCTION MATERIAL PATTERN FORMATION METHOD例文帳に追加
超音波接合ツール及び超音波接合装置及び接合材パターン成形方法 - 特許庁
SPACE FORMATION RIVET, RIVET JUNCTION, AND PREPARATION METHOD THEREFOR例文帳に追加
間隔形成リベット、リベット接合及びその作成方法 - 特許庁
FORMATION METHOD FOR VERY SHALLOW P-N JUNCTION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板の極浅ｐｎ接合の形成方法 - 特許庁
To prevent degradation in element performance due to ohmic junction formation.例文帳に追加
オーミック接合形成による素子性能の劣化を防止する。 - 特許庁
To provide a new Josephson junction and a Josephson junction device which require formation of no insulating barrier layer.例文帳に追加
絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。 - 特許庁
A jointing material 7 is fused for formation in the junction region 33 on the base 3 (formation process).例文帳に追加
そして、このベース３上の接合領域３３に、接合材７を溶融して形成する（形成工程）。 - 特許庁
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「junction formation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 122件
To suppress a black smear by preventing formation of a junction FET.例文帳に追加
ジャンクションＦＥＴが形成されることを防止して黒スミアを抑制する。 - 特許庁
FORMATION METHOD FOR MAGNETIZED FREE LAYER OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AS WELL AS TUNNEL JUNCTION TYPE REPRODUCING HEAD, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気トンネル接合素子の磁化自由層の形成方法ならびにトンネル接合型再生ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁
To provide an agent for improving a skin barrier function having an excellent CE formation promoting effect and tight junction formation promoting effect.例文帳に追加
ＣＥ形成促進効果、タイトジャンクション形成促進効果に優れた皮膚バリア機能改善剤に関する。 - 特許庁
INK FOR CATALYST LAYER FORMATION AND ELECTRODE USING THE SAME AND MEMBRANE ELECTRODE JUNCTION例文帳に追加
触媒層形成用インク、これを用いた電極及び膜電極接合体 - 特許庁
A thermal insulation thin film 25 (warm junction formation region) is provided on the cavity part 24.例文帳に追加
空洞部２４の上には熱絶縁性薄膜２５（温接点形成領域）を設ける。 - 特許庁
Thus, the formation of a gate electrode having a good Schottky junction is obtained.例文帳に追加
これらにより、良好なショットキー接合を有するゲート電極の形成が実現される。 - 特許庁
METHOD FOR JUNCTION FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED THEREBY例文帳に追加
半導体装置の接合形成方法およびそれにより作製された半導体装置 - 特許庁
Even if the annealing temperature is 850°C, the low junction leakage current at an ultrathin junction formation part is materialized by the low sheet resistance of the silicide.例文帳に追加
アニーリング温度が８５０℃であったとしても、シリサイドの低シート抵抗によって、超浅接合形成部の低接合リーク電流が実現される。 - 特許庁
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