「junction formation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a new Josephson junction and a Josephson junction device which require formation of no insulating barrier layer.例文帳に追加

絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。 - 特許庁

A jointing material 7 is fused for formation in the junction region 33 on the base 3 (formation process).例文帳に追加

そして、このベース３上の接合領域３３に、接合材７を溶融して形成する（形成工程）。 - 特許庁

To suppress a black smear by preventing formation of a junction FET.例文帳に追加

ジャンクションＦＥＴが形成されることを防止して黒スミアを抑制する。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR MAGNETIZED FREE LAYER OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AS WELL AS TUNNEL JUNCTION TYPE REPRODUCING HEAD, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子の磁化自由層の形成方法ならびにトンネル接合型再生ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

To provide an agent for improving a skin barrier function having an excellent CE formation promoting effect and tight junction formation promoting effect.例文帳に追加

ＣＥ形成促進効果、タイトジャンクション形成促進効果に優れた皮膚バリア機能改善剤に関する。 - 特許庁

INK FOR CATALYST LAYER FORMATION AND ELECTRODE USING THE SAME AND MEMBRANE ELECTRODE JUNCTION例文帳に追加

触媒層形成用インク、これを用いた電極及び膜電極接合体 - 特許庁

A thermal insulation thin film 25 (warm junction formation region) is provided on the cavity part 24.例文帳に追加

空洞部２４の上には熱絶縁性薄膜２５（温接点形成領域）を設ける。 - 特許庁

Thus, the formation of a gate electrode having a good Schottky junction is obtained.例文帳に追加

これらにより、良好なショットキー接合を有するゲート電極の形成が実現される。 - 特許庁

METHOD FOR JUNCTION FORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED THEREBY例文帳に追加

半導体装置の接合形成方法およびそれにより作製された半導体装置 - 特許庁

Even if the annealing temperature is 850°C, the low junction leakage current at an ultrathin junction formation part is materialized by the low sheet resistance of the silicide.例文帳に追加

アニーリング温度が８５０℃であったとしても、シリサイドの低シート抵抗によって、超浅接合形成部の低接合リーク電流が実現される。 - 特許庁

The formation method of a coolant route (7) for cooling wafer uses a lost wax or a diffused junction method.例文帳に追加

また、ウエハ冷却用の冷媒流路（７）形成法を、ロストワックスや拡散接合法とした。 - 特許庁

A liquid junction forming part 16 for forming the liquid junction of dew condensation water between the electrode surfaces 11 is constituted in the acid dew point corrosion environment and a structure for accelerating the formation of the liquid junction of dew condensation water is formed to the liquid junction forming part 16.例文帳に追加

酸露点腐食環境において電極面１１の間に結露水の液絡を形成する液絡形成部１６が構成されており、この液絡形成部１６には結露水の液絡形成を促進する構造が形成されている。 - 特許庁

A central heat sink 26 (cold junction formation region) is provided at the center of a silicon substrate 22, and an outer-periphery-side heat sink 27 (cold junction formation region) is provided at the outer periphery while being separated by a cavity part 24.例文帳に追加

シリコン基板２２の中央に中央ヒートシンク２６（冷接点形成領域）を設け、その外周に空洞部２４を隔てて外周側ヒートシンク２７（冷接点形成領域）を設ける。 - 特許庁

To provide a vacuum valve in which a brazing alloy having an appropriate junction phase is mounted wherein the formation of crack and the falling off (reduction of airtightness) or the like of a junction can be avoided.例文帳に追加

接合部の亀裂の生成、脱落（気密性の低下）などを回避出来る好適な接合相を持つロウ合金を搭載した真空バルブを提供する。 - 特許庁

To reduce leakage current arising in a PN junction diode to control charge-up current that is connected to the PN junction diode through plasma treatment during wiring formation.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードに生じるリーク電流を低減し、ＰＮ接合ダイオードに接続される配線形成でのプラズマ処理によるチャージアップ電流を制御する。 - 特許庁

A semiconductor multilayered structure, required for the formation of a multi-junction solar cell, is deposited using a MOCVD method.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法を用いて、多接合型太陽電池に必要な半導体多層構造を堆積する。 - 特許庁

The present invention discloses also the method of preparing the this type of rivet junction, and the space formation rivet 2 therefor.例文帳に追加

また、このタイプのリベット接合を作成する方法及び間隔形成リベット２も記載されている。 - 特許庁

The through-hole wiring formation substrate 2 is configured by shifting the junction site with the first junction metal layer 19 for connection in the second junction metal layer 29 for connection from the connection site with a through-hole wiring 24 in the second junction metal layer 29 for connection.例文帳に追加

貫通孔配線形成基板２は、第２の接続用接合金属層２９における第１の接続用接合金属層１９との接合部位を、当該第２の接続用接合金属層２９における貫通孔配線２４との接続部位からずらしてある。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR FORMING pn-JUNCTION IN POLYSILICON FILM, SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD OF THIN-FILM TRANSISTOR, AND IMAGE DISPLAY例文帳に追加

ポリシリコン膜におけるｐｎ接合の形成方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法、および画像表示装置 - 特許庁

To provide a wiring formation method with junction strength with an underlying insulating resin layer sufficiently secured.例文帳に追加

下地である絶縁樹脂層との接合強度を十分に確保した配線を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent external diffusion in drive-in diffusion of impurities added for isolation region formation of a P-N junction.例文帳に追加

ＰＮ接合の分離領域形成用に添加された不純物のドライブイン拡散での外方拡散を防止する。 - 特許庁

To provide a film electrode diffusion layer junction having an integrated structure in which interface formation between each layer is prevented.例文帳に追加

各層間の界面形成が防止された一体的な構造の膜電極拡散層接合体を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which avoids the formation of unwanted silicide and reduces junction leakage current.例文帳に追加

不要なシリサイドの形成を回避するとともに接合リーク電流の低減が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique that improves long-term junction reliability and enables bump formation at a low temperature supporting a finer pitch.例文帳に追加

長期接合信頼性を向上し、ファインピッチ化に対応した低温でのバンプ形成を可能とするものとする。 - 特許庁

To provide an ultrasonic junction tool enabling the solder pattern formation of a desired shape or size.例文帳に追加

半田パターンを所望の形状又は寸法に成形させ得る超音波接合ツールの提供を目的とする。 - 特許庁

The promoter of the tight junction formation comprises a compound represented by chemical formula (1) and/or a salt thereof.例文帳に追加

本発明は化学式（１）で表される化合物／またはその塩を含有するタイトジャンクション形成促進剤に関する。 - 特許庁

IRIDIUM CONTAINING HIGH THERMAL STABILITY NICKEL SILICIDE USED FOR ULTRATHIN JUNCTION FORMATION PART, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

超浅接合形成部において用いられるイリジウムを含む熱安定性の高いニッケルシリサイドおよびその製造方法 - 特許庁

When a polysilicon film 21 is doped with a dopant that diffuses into the junction layer of the transistor, dopant diffused into a polysilicon film spreads into a junction layer 12 in a subsequent process, whereby a reduction in depth of the junction layer caused by overetching at the formation of a contact hole and a junction leakage current caused by misalignment at the formation of a contact hole can be compensated.例文帳に追加

また、トランジスタの接合層コンタクトで接合層にドーピングされたドーパントをポリシリコン膜２１にドーピングさせて使用する場合、後続の工程時にポリシリコン膜内にドーピングされたドーパントが接合層１２に広がってコンタクトホール形成時の過度蝕刻にともなう接合層の深さの減少、コンタクトホールの形成時の誤整列等による接合漏洩電流問題を補償できる。 - 特許庁

To prevent the increase of the junction leak resulting from the excess of the reaction between a source region and silicide caused by the formation of a local source line.例文帳に追加

ローカルソース線の形成で、ソース領域とシリサイド反応が過剰になってジャンクションリークが増大するのを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ohmic junction layer which has superior surface flatness, and superior pattern formation property for electrodes.例文帳に追加

表面平坦性に優れ、電極のパターン形成性に優れるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the processes of electrode junction and sealing resin formation can be simplified and the semiconductor device can be manufactured at low cost.例文帳に追加

これにより、電極接合及び封止用樹脂の形成工程が簡略化され、低コストで半導体装置を製造できる。 - 特許庁

To provide a new forming method of a high-temperature superconducting Josephson junction wherein the formation of the Josephson junction having a highly excellent characteristic is realized simply and rapidly without requiring an expensive fine-processing apparatus.例文帳に追加

高価な微細加工装置を必要とせず、簡便かつ迅速に高い特性を持つジョセフソン接合の形成を実現する新たな高温超伝導ジョセフソン接合形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a junction having low inductance and the small variation of inductance by preventing the formation of a superconducting electrode extended while crossing the inclined plane of an interlayer insulating film in a lamp edge junction by adopting a simple means regarding a superconductive junction.例文帳に追加

超伝導接合に関し、簡単な手段を採ることで、ランプエッジ接合に於いて、層間絶縁膜の斜面を越えて延在する超伝導電極が生成されないようにし、低インダクタンスで、且つ、インダクタンスのばらつきが少ない接合を実現できるようにする。 - 特許庁

The present invention discloses the rivet junction of joining the two sheets of sheet metal members separated with the specified distance, using the space formation rivet.例文帳に追加

特定の距離だけ離間した二枚のシートメタル部材間を間隔形成リベットを用いて接合したリベット接合が記載されている。 - 特許庁

In the region for absorbing noise charges, a P-N junction is formed simultaneously with the formation of a photodiode, and one end of the region is fixed to a power source voltage.例文帳に追加

ノイズ電荷吸収領域には、フォトダイオードと同時にＰＮ接合が形成され、その一端が電源電圧に固定される。 - 特許庁

Accordingly, processes for electrode junction and sealing resin formation can be simplified and the semiconductor device can be manufactured at low cost.例文帳に追加

これにより、電極接合及び封止用樹脂の形成工程が簡略化され、低コストで半導体装置を製造することができる。 - 特許庁

To provide a formation method for forming a pn-junction without additions of any new process and any new mask in a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜において、新たなプロセスおよびマスクを追加することなくｐｎ接合を形成するための形成方法を提供する。 - 特許庁

In this case, a junction interface is also formed within the first moisture-proof protection film at the upper part of cavity but a second moisture-proof protection film is formed by suspending growth of the junction interface through exposure of the surface of above junction interface to the atmosphere or through formation of an insulating film with a different kind of method.例文帳に追加

この時、空洞上方の第一の耐湿性保護膜中に接合界面が形成されるが、その表面を大気に暴露するか、もしくは異種の方法により絶縁膜を形成することにより、接合界面の成長を遮断して第二の耐湿性保護膜を積層形成する。 - 特許庁

The sensor substrate 1 and the through-hole wiring formation substrate 2 are configured by joining a first junction metal layer 18 for sealing and a second junction metal layer 28 for sealing formed on their opposite faces, and joining a first junction metal layer 19 for connection and a second junction metal layer 29 for connection formed on their opposite faces.例文帳に追加

センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、互いの対向面に形成された第１の封止用接合金属層１８と第２の封止用接合金属層２８とが接合されるとともに、互いの対向面に形成された第１の接続用接合金属層１９と第２の接続用接合金属層２９とが接合されている。 - 特許庁

In such a semiconductor device, propagation of noise between the first and second element formation areas 20, 30 can be suppressed by a depletion layer configured between the PNP junction or the NPN junction.例文帳に追加

このような半導体装置では、ＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合の間に構成される空乏層により、第１、第２素子形成領域２０、３０の間でノイズが伝播することを抑制することができる。 - 特許庁

Then, the impurities are diffused into the semiconductor substrate by rapid heat treatment by a solid-state diffusion method for the formation of a shallow junction.例文帳に追加

次いで、急速熱処理を通じて半導体基板に固体状態拡散法でｉｍｐｕｒｉｔｙを拡散させて浅い接合を形成する。 - 特許庁

A heat-resistance tape 1 is used as a base, a circuit layout is manufactured in the heat-resistance tape 1, a chip 6 is subjected to electric junction, packaging is made, and formation is carried out.例文帳に追加

耐熱のテープ１をベースとし、耐熱のテープ１に回路レイアウトを製作したあと、チップ６と電気接合し、パッケージングを行い、成形する。 - 特許庁

To provide a formation method for a magnetized free layer of a magnetic tunnel junction element having a sufficient signal detection sensitivity, while coping with size reduction.例文帳に追加

寸法の縮小化に対応しつつ、十分な信号検出感度を有する磁気トンネル接合素子における磁化自由層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sensor element which is high in junction reliability for easily joining a sensor substrate and a through-hole wiring formation substrate.例文帳に追加

センサ基板と貫通孔配線形成基板との間の接合を容易に行うことが可能で且つ接合信頼性の高いセンサエレメントを提供する。 - 特許庁

Furthermore, the conventional source/drain diffusion region can be replaced by including the formation of the electrical junction by impressing the voltage to the sub gate.例文帳に追加

さらに、本発明はサブゲートに電圧を印加することにより電気接合の形成を誘起し、従来のソース／ドレイン拡張領域を置換することができる。 - 特許庁