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layer to layer gapとは 意味・読み方・使い方
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「layer to layer gap」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1219件
A cap layer 17 is provided with a wider band gap than that of the active layer 16, and the band gap of the level difference confinement layer 19 is set so as to be wider than the band gap of the active layer 16, and narrower than the band gap of the cap layer 17.例文帳に追加
キャップ層１７は、活性層１６よりも広いバンドギャップを有し、段差閉じ込め層１９のバンドギャップは、活性層１６のバンドギャップよりも広く、かつキャップ層１７のバンドギャップよりも狭い。 - 特許庁
Next, an upper gap layer is formed on the lower gap layer by the nonmagnetic material easy to be etched as compared with the lower gap layer while being not corroded with a developing fluid.例文帳に追加
次に、下部ギャップ層上に、現像液に腐食されず且つ該下部ギャップ層よりもエッチングされやすい非磁性材料で上部ギャップ層を形成する。 - 特許庁
A gap filling layer is deposited around the spacer to cover the substrate layer but to expose the spacer.例文帳に追加
ギャップ充填層がスペーサの周りに堆積されて、基板層を覆うがスペーサをさらす。 - 特許庁
Next, a gap material layer of a second layer is formed and molding glass is fused to face the gap surface, to manufacture the head block.例文帳に追加
次に第２層目のギャップ材層を形成しギャップ面対向させモールドガラス溶着しヘッドブロックを製造する。 - 特許庁
The yoke part layer 14B is magnetically connected to the surface of the gap layer 9 side of the magnetic pole part layer 14.例文帳に追加
ヨーク部分層１４Ｂは、磁極部分層１４Ａのギャップ層９側の面に磁気的に接続されている。 - 特許庁
Thereafter, the insulation layer 3 of the diaphragm region is selectively etched to form a gap layer 4 between the support layer 2 and the active layer 1.例文帳に追加
その後、ダイアフラム領域の絶縁層３を選択的にエッチングし、支持層２と活性層１の間に空隙層４を形成する。 - 特許庁
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A spin-valve layer 7 is formed on the lower gap layer 1 that is subjected to rugged processing.例文帳に追加
この凹凸加工を施した下部ギャップ層１上にスピンバルブ膜７を形成する。 - 特許庁
To solve the problem of the non-uniform thickness formation of a gap layer formed on a lower gap layer or a lower core layer located above a lower shield layer in a conventional thin film magnetic head.例文帳に追加
従来の薄膜磁気ヘッドでは、下部シールド層の上に形成される下部ギャップ層や下部コア層の上に形成されるギャップ層が均一な膜厚で形成されていない。 - 特許庁
A light emitting layer forming part 4 of an N-type layer 2 and a P-type layer 3 composed of GaP is subjected to liquid epitaxial growth on a GaP substrate 1.例文帳に追加
ＧａＰ基板１に、ＧａＰからなるｎ形層２およびｐ形層３の発光層形成部４を液相エピタキシャル成長する。 - 特許庁
The band gap of th inclined band gap layer 24 located on the interface of the III-V group semiconductor layer 22 is substantially equal to the band gap of the III-V group semiconductor layer.例文帳に追加
ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面における傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、実質的にＩＩＩ−Ｖ族半導体層のバンドギャップに等しい。 - 特許庁
The head is provided with a non-magnetic layer 15 provided on the side opposite to the gap layer 9 of the magnetic pole part layer 14A.例文帳に追加
ヘッドは更に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側に設けられた非磁性層１５を備えている。 - 特許庁
Further, a plating pretreatment (dry etching) is carried out to expose a new film face by removing the surface oxidation layer of the resist layer, and the upper gap layer not being covered with the resist layer is removed to expose the lower gap layer.例文帳に追加
続いて、メッキ前処理（ドライエッチング）を行い、レジスト層の表面酸化層を除去して新たな膜面を露出させるとともにレジスト層で覆われていない上部ギャップ層を除去し、下部ギャップ層を露出させる。 - 特許庁
A capsule layer is further deposited to seal the mutual connecting gap.例文帳に追加
さらにカプセル層を堆積して相互接続空隙を封止する。 - 特許庁
The light reflection layer 32 is constituted by laminating a base layer 322, a reflection layer 321 and a gap layer 327 in this order and the gap layer 327 is formed by using a magnesium fluoride layer to be an easily etching low refractive index layer 323 and an ICO (oxide containing In and Ce) based film 324.例文帳に追加
光反射層３２が、下地層３２２、反射層３２１およびキャップ層３２７の各層をこの順で積層した構成であり、キャップ層３２７を、易エッチング性低屈折率層３２３である弗化マグネシウムの層と、ＩＣＯ系の膜３２４とから形成する。 - 特許庁
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