mos lsiとは 意味・読み方・使い方

To provide an MOS semiconductor device optimum for the high integration of an LSI (Large Scale Integrated Circuit) or to provide the MOS semiconductor device reduced in a leak current between source and drain upon standby, and improved in the cut-off characteristics of current between source and drain upon shifting from operation into standby.例文帳に追加

本発明は、LSI(大規模集積回路)の高集積化に好適なＭＯＳ型半導体装置の提供、すなわち、待機時のソースとドレイン間のリーク電流の削減、及び、動作時から待機時へ移行する時の、ソースとドレイン間の電流のカットオフ特性を改善したＭＯＳ型半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide an LSI design system capable of preventing antenna damage occurring in internal MOS transistors due to that wiring formed during manufacturing processes of LSIs or like becomes an antenna.例文帳に追加

ＬＳＩなどの製造プロセスで形成される配線がアンテナとなることにより内部のＭＯＳトランジスタに発生するダメージを回避するＬＳＩ設計システムを提供する。 - 特許庁

In a memory cell MC included in a memory circuit 3 of a system LSI, the gate electrode 43 of an N-channel MOS transistor Q and the cell plate electrode 48 of a capacitor C are formed out of a single wiring layer.例文帳に追加

システムＬＳＩのメモリ回路部３に含まれるメモリセルＭＣにおいて、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱのゲート電極４３とキャパシタＣのセルプレート電極４８とを同一配線層で形成する。 - 特許庁

During the non-operational term of the LSI 100, the switching circuits Sw1, Sw2 are so turned-off as to cut the routed paths of power-supply and grounding potentials VDD, VSS to the respective MOS capacitors and as to suppress the current consumptions caused by the leakages of their gates.例文帳に追加

ＬＳＩ１００の非動作期間においては、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２がオフされ、ＭＯＳ容量に対する電源電位ＶＤＤと接地電位ＶＳＳとのパスが切断されてゲートリークによる電流消費が抑えられる。 - 特許庁

A conversion control LSI 28 converts a signal between the SATA interface of the hard disk drive 30 and the USB interface of the external device, and OFF-controls the P-type MOS-FET 52, upon detection of the idle state of the hard disk drive 30, to interrupt the power supply to the hard disk drive for power waving.例文帳に追加

変換制御ＬＳＩ２８は、ハードディスクドライブ３０のＳＡＴＡイスインタフェースと外部のＵＳＢインタフェースとの間で相互に信号変換すると共に、ハードディスクドライブ３０のアイドル状態を検出した際に、Ｐ型ＭＯＳ−ＦＥＴ５２をオフ制御してハードディスクドライブ３０に対する電源供給を遮断してパワーセーブする。 - 特許庁

To realize a semiconductor light emitting device well matching with the conventional Si-MOS transistor structure, using a Si based material containing an additive of fine light emitting element such as Er, make the device utilizable for light interconnections and solve the problem of the signal propagation delay ascribed to wirings in an LSI.例文帳に追加

半導体発光装置に関し、Ｅｒ元素などの微細発光要素を添加したＳｉ系材料を用い、従来のＳｉ−ＭＯＳトランジスタ構造と整合性が良好な半導体発光装置を実現し、光インターコネクトに利用可能であるようにし、ＬＳＩに於ける配線に起因する信号伝播遅延の問題を解消しようとする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can form a sidewall in a predetermined designed width even if an occupied area of a mask in a chip is different according to the type of a device when the sidewall of a MOS transistor is formed with a polysilicon capacity storage electrode of an already formed DRAM used as the mask by anisotropic etching in a logic circuit of a DRAM-containing system LSI.例文帳に追加

ＤＲＡＭ内蔵型システムＬＳＩのロジック回路部において、ＭＯＳトランジスタのサイドウォールを、すでに形成されているＤＲＡＭのポリシリコン容量蓄積電極をマスクとして異方性エッチングで形成する際など、マスクのチップ内占有率がデバイス品種により異なっても、サイドウォールを一定の設計幅に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁