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mr ratioとは 意味・読み方・使い方
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「mr ratio」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 156件
To obtain a TMR element which achieves a high MR ratio and a low RA.例文帳に追加
高いMR比と低RAとを実現するTMR素子を得る。 - 特許庁
To provide a fabricating method of a magnetoresistive element having an MR ratio higher than a conventional MR ratio.例文帳に追加
従来よりも高いMR比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The MR ratio of the magneto-resistance element Ref is set to be half of the MR ratio of the magnet-resistance element in the memory cell.例文帳に追加
磁気抵抗素子RrefのMR比は、メモリセル内の磁気抵抗素子のMR比の半分に設定されている。 - 特許庁
Thus, a satisfactory MR ratio and a high resistance change ratio can be obtained by making both compatible with each other.例文帳に追加
十分なMR比と高い抵抗変化率とを両立させて得ることができる。 - 特許庁
To enlarge an MR ratio in an MR element where current flows in a direction crossing faces of respective layers constituting the MR element.例文帳に追加
MR素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるMR素子におけるMR比を大きくする。 - 特許庁
To raise an MR ratio in an MR element where an electric current is made to flow in a direction to be crossed with the surface of each layer constituting the MR element.例文帳に追加
MR素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるMR素子におけるMR比を大きくする。 - 特許庁
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「mr ratio」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 156件
To provide a CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetic read head having a high MR ratio and low magnetostriction.例文帳に追加
高いMR比で低磁歪のCPP磁気リード・ヘッドを実現する。 - 特許庁
When a reading voltage Ir is biased, MR ratio of a first unit U1 is in inverse state, while the MR ratio of a second unit U2 is in normal state.例文帳に追加
読み出し電圧Irをバイアスしたときに、第1ユニットU1のMR比は、インバース状態にあり、第2ユニットU2のMR比は、ノーマル状態にある。 - 特許庁
To suppress MR height variation after wrapping, resulting in a high yield ratio.例文帳に追加
ラッピング後のMRハイトのばらつきを抑えて、歩留りを向上させる。 - 特許庁
To provide a top pin type tunnel magneto-resistance element with a high MR ratio.例文帳に追加
MR比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁
To provide a spin valve transistor having a high MR ratio and a high collector current/emitter current ratio.例文帳に追加
MR比が大きく、かつコレクター電流/エミッター電流の比が大きいスピンバルブトランジスターを提供する。 - 特許庁
A memory device 100 has a read margin exceeding MR ratio of an MR element 104 and is equipped with a memory cell 102 having the MR element 104, a reference transistor 106 and an amplification transistor 108.例文帳に追加
メモリデバイス100は、MR素子104のMR比を超える読み取りマージンを持ち、MR素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。 - 特許庁
To enlarge an MR ratio and to reduce the coercive force of a free layer in an MR element using a tunnel magnetoresistance effect.例文帳に追加
トンネル磁気抵抗効果を用いたMR素子において、MR比を大きくし且つ自由層の保磁力を小さくする。 - 特許庁
To provide an MR element having high (S/N) by improving the soft magnetic characteristics of a free layer as high MR ratio is held as it is.例文帳に追加
高いMR比を保持したままで、フリー層の軟磁気特性を改善し、(S/N)の高いMR素子を提供すること。 - 特許庁
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