mis-wiringとは 意味・読み方・使い方

To provide a cryopump apparatus capable of precluding a failure, malfunction, etc. resulting from mis-wiring of the device by finding a mis-wiring in it.例文帳に追加

クライオポンプ装置の誤配線を見つけ出すことで、誤配線から生じる故障や誤動作等を未然に防ぐこと。 - 特許庁

The power supply potential is fed to the source node of the MIS transistor by using two layers of the diffusion layer and the wiring layer.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソースノードに給電される電源電位が拡散層と配線層の２層を用いて行われる。 - 特許庁

To protect a VPP terminal of a flash microcomputer and a flash writer from being damaged even when mis-setting and erroneous wiring by a user occur.例文帳に追加

ユーザによる設定ミスや誤配線が生じた場合でも、フラッシュ・マイコンのＶＰＰ端子やフラッシュ・ライタに破損が生じないように、その保護を図る。 - 特許庁

A semiconductor device having a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure in which each deuterium concentration near interfaces between a semiconductor substrate and a film or a layer formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation film, a wiring layer and a protective insulation film is 1x1019 cm-3 and over.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal-insulating film-semiconductor (MIS) structure wherein the deuterium-element concentration is not smaller than 1×10^19/cm^-3 present near such films or layers formed in a semiconductor device as a semiconductor substrate, a gate insulating film, an interlayer insulating film, a wiring layer, and a protective insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

To provide changeover switches for a splitter for a subscriber line digital transmission apparatus and to realize a system capable of quickly correcting a fault due to mis-wiring or a faulty device.例文帳に追加

本発明は加入者線ディジタル伝送装置のスプリッタの切分け器に関するものであり、誤配線あるいは機器の故障による障害を迅速に解決することが可能なシステムを実現することである。 - 特許庁

To prevent the occurrence of an Al spike in a second metal layer (switch TFT source drain wiring) and an ohmic contact layer (n^+ layer), and to achieve the low-resistance contact between an MIS type PD lower electrode and the drain electrode of a switch TFT.例文帳に追加

第２の金属層（スイッチＴＦＴソースドレイン配線）とオーミックコンタクト層（ｎ^+層）でのＡｌスパイクの発生を防止し、ＭＩＳ型ＰＤ下部電極とスイッチＴＦＴのドレイン電極との低抵抗のコンタクトを実現する。 - 特許庁